2028년 말 최대 60만 장…현재보다 88% 확대 가능
첨단 D램 생산 비중 높이며 글로벌 시장 공략 가속
AI 투자 증설 맞물리는 2028년 공급 확대 변수
중국 메모리 반도체 기업들이 공격적인 증산에 나서면서 삼성전자와 SK하이닉스가 주도해온 글로벌 D램 시장에 새로운 변수로 떠올랐다. 중국 최대 D램 기업 창신메모리(CXMT)의 생산능력이 2028년까지 현재의 최대 두 배 가까이 확대될 것으로 전망되면서다. 국내 반도체 기업들이 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가가치 제품에 집중하는 사이 중국은 범용 D램 시장을 빠르게 파고들고 있다. 글로벌 메모리 공급 부족으로 국내 제조사들이 누려온 가격 협상력이 중장기적으로 시험대에 오를 수 있다는 분석이다.
18일 시장조사업체 카운터포인트리서치와 트렌드포스에 따르면 CXMT의 월간 D램 웨이퍼 생산능력은 현재 약 32만 장에서 내년 42만 장으로 확대될 전망이다. 1년여 만에 월 10만 장이 추가되는 것으로, 증가율은 31.3%에 달한다.
CXMT는 상하이와 베이징의 신규 생산시설, 허페이의 대규모 생산단지를 중심으로 증설을 추진하고 있다. 장기적으로는 2030년까지 생산능력을 현재의 두 배로, 2035년까지 세 배로 늘린다는 계획이다. 증설 속도는 더욱 빨라질 가능성이 있다. 업계는 CXMT의 월간 D램 웨이퍼 생산능력이 2028년 말 50만~60만 장에 이를 것으로 예상한다. 전망치 상단인 60만 장을 기준으로 현재보다 28만 장, 약 87.5% 증가하는 규모다.
삼성전자와 SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)와 첨단 D램 생산에 역량을 집중하는 상황에서 중국 업체의 범용 D램 증산은 주목할 만한 변화다. 국내 업체들이 수익성이 높은 AI용 메모리 공급을 확대하는 동안 중국은 상대적으로 공급이 부족해진 기존 메모리 시장에서 입지를 넓힐 수 있기 때문이다.
낸드플래시 시장에서도 중국의 추격이 빨라지고 있다. 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)는 우한의 세 번째 생산공장을 올해 말부터 가동하고 내년 생산량을 단계적으로 늘릴 계획이다. D램에 이어 낸드플래시까지 중국의 공급능력이 확대되면서 글로벌 메모리 시장 전반의 경쟁 구도에 변화가 예상된다.
분수령은 2028년 전후가 될 전망이다. 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론 등 주요 업체들도 AI 수요에 대응해 생산시설을 확충하고 있다. 이들 기업의 신규 생산능력과 중국의 증설 물량이 시장에 본격 반영되는 시기에 공급 부족이 완화되고 가격 상승 압력이 낮아질 가능성이 있다. 특히 범용 D램은 공급 물량 변화에 상대적으로 민감해 가격 경쟁이 먼저 나타날 수 있는 영역으로 꼽힌다.
다만 생산능력 증가가 곧바로 공급과잉을 의미하지는 않는다. 실제 출하량은 공장 가동률과 수율에 따라 달라진다. 중국의 AI 데이터센터와 클라우드 투자 확대로 늘어난 생산량 상당 부분이 자국 시장에서 소비될 가능성도 있다.
업계 관계자는 “메모리 공급 부족이 길어질수록 삼성전자와 SK하이닉스의 가격 협상력은 유지될 수 있다”면서도 “중국의 생산 확대가 수요 증가 속도를 앞지르는 시점에는 범용 메모리를 중심으로 가격 경쟁이 재점화될 가능성이 있다”고 전망했다.
