삼성전자, 日 반도체 거점 설립…소·부·장 강화로 ‘초격차 기술’ 확보한다

▲삼성전자가 지난해 6월 경기 화성캠퍼스에서 세계 최초로 3나노 반도체 양산에 성공한 가운데 임직원들이 3나노 반도체를 소개하고 있다. (사진제공=삼성전자)

삼성전자가 일본에 첨단 반도체 개발 거점을 신설한다. 건설 비용의 최대 3분의 1에 달하는 일본 정부의 보조금도 받을 수 있을 것으로 예상된다.

니혼게이자이신문(닛케이)은 14일 삼성이 일본 요코하마시에 약 300억 엔(약 3000억 원) 규모의 개발 거점을 구축하며 여기에 입체 구조의 첨단 반도체 디바이스 시제품 조립 라인을 포함할 계획이라고 보도했다. 삼성전자는 올해 안에 거점 신설을 위한 정비를 시작해 2025년 가동을 목표로 한다.

이미 삼성전자는 일본 정부에 반도체 보조금도 신청한 것으로 알려졌다. 예상 보조금은 100억 엔 이상으로 전체 투자액의 3분의 1가량이다.

삼성전자가 일본에 반도체 거점을 설립하는 것은 소재·부품·제조장비(소부장) 부문 협력을 통해 첨단 반도체 등 미래기술 경쟁력 확보를 위해서다.

삼성전자가 설립하는 거점은 생산 설비가 아닌 연구·개발 관련 시설이다. 삼성전자는 이를 통해 일본의 소부장 업체와 첨단 반도체 개발에 필요한 연구·개발 협력을 강화할 것으로 알려졌다.

일본은 반도체 파운드리(위탁생산) 부문에서는 대만(TSMC, UMC)과 한국(삼성전자) 등에 밀리고 있으나 소부장에서는 강점이 있다. 업계에서는 일본이 첨단 소부장 산업에서 세계적인 수준을 갖춘 데다 일본 외의 소부장 공급처를 찾기도 어려워 소부장에 대한 일본의 소부장 관련 지배력이 높을 수밖에 없다고 보고 있다.

삼성전자는 이처럼 소부장에 강점을 지닌 일본과의 협력을 강화해 반도체 산업에서 중장기적으로 ‘초격차 기술’을 확보와 공급망 다각화를 꾀할 수 있다.

이미 삼성전자는 지난 3월 일본에 반도체 연구 조직 ‘디바이스솔루션리서치재팬(DSRJ)’를 출범하며 일본 내 연구개발 조직을 재정비하기도 했다. 연구 자원 개발, 연구 기능 간 시너지 강화 등을 위한 조치로 풀이된다.

전사적으로도 연구개발을 위한 투자를 늘리는 추세다. 삼성전자는 지난달 27일 열린 1분기 실적 컨퍼런스콜에서 올해 1분기에 사상 최대인 6조5800억 원을 연구개발에 투자했다고 밝혔다.

당시 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “선단 제품의 적기 개발과 품질 강화를 위해 R&D(연구개발) 단계에서 투자를 강화해 중장기 경쟁력을 확보할 것”이라고 말했다.

삼성전자는 연구개발 투자 확대와 일본과의 협력을 통해 차세대 반도체를 넘어선 초격차 기술을 선보일 계획이다. 삼성전자는 올 하반기 DDR5·LPDDR5x, HBM(고대역폭메모리), CXL(컴퓨터익스프레스링크) 등 AI(인공지능), 서버용으로 쓰이는 차세대 반도체의 기술 리더십 강화에 나선다.

최근 이어지는 한일 관계 훈풍도 투자의 배경으로 지목된다. 업계에서는 윤석열 대통령의 3월 방일 이후 한일 관계가 급속히 개선되며 삼성이 일본에 개발 거점을 세우기 쉬운 환경이 조성됐다고 평가하고 있다.

아울러 일본은 한국·미국·대만을 아우르는 반도체 연계 강화를 경제성장의 열쇠로 보고 있다. 세계 1위 파운드리 업체 TSMC는 지난해 4월부터 일본 구마모토현에 반도체 공장을 건설 중이기도 하다.

삼성전자 관계자는 일본 내 반도체 거점 신설 계획에 대해 “구체적인 사항은 결정된 바 없다”고 말했다.