지난해 누적으로는 흑자 달성.. 올해 투자 4조2000억
하이닉스반도체는 지난해 4분기 매출 2조5532억원, 영업손실 1675억원을 기록했다고 2일 밝혔다. 전 분기에 이어 두 분기 연속 적자다.
매출은 전분기보다 11.4% 늘어났고, 영업손실도 전 분기(2770억 원) 대비 39% 개선됐다. 순손실은 전 분기(5630억 원 대비 57% 감소한 2400억 원을 기록했다.
하지만 하이닉스는 지난해 연간으로는 3255억원 영업이익을 기록하면서 전년도(2조9703억원)에 이어 흑자 기조를 이어갔다. 매출은 사상 최대였던 전년보다 14.1% 줄어든 10조3958억원을 기록했다.
하이닉스 관계자는 "지난 해 세계 경제의 불확실성과 일본, 태국의 자연재해 등으로 IT 기기의 수요가 부진했다"며 "하지만 미세공정 전환 및 제품 포트폴리오 개선을 성공적으로 추진해 3년 연속 연간 영업 흑자를 지속했다"고 강조했다.
지난 4분기에도 반도체 시장은 어려운 경영환경이 지속돼 전분기 대비 평균판매가격은 D램의 경우 19%, 낸드플래시는 17% 하락했다.
그러나 하이닉스는 비교적 견조한 수요의 모바일·서버 시장에 적극 대응했고, 30나노급 D램의 비중을 지난 연말 목표치를 초과한 40% 중반으로 확대하는 등 순조로운 미세공정 전환을 이뤘다.
그 결과 출하량은 D램 30%, 낸드플래시 24% 증가해 전분기 대비 매출과 수익성에서 개선된 경영실적을 기록했다.
한편 하이닉스는 올해 투자계획을 전년 대비 약 20% 증가한 4조2000억 원으로 확대하고, 그 중 절반 이상을 모바일 기기 확산과 더불어 급속한 성장세를 보이고 있는 낸드플래시 사업에 투자해 경쟁력을 강화한다는 전략이다. 이를 통해 D램과 낸드플래시 간 균형잡힌 사업 포트폴리오를 구축할 예정이다.
D램의 경우, 20나노급 제품의 성공적인 양산 및 모바일 D램 제품의 경쟁력을 더욱 강화해 업계 선두 업체 위상을 지속 확보할 계획이다.
낸드플래시 역시 20 나노 제품의 양산 및 10 나노급 제품의 개발로 기술 우위를 확보하고, eNAND, SSD를 포함한 다양한 응용복합제품 사업 비중을 지속적으로 확대해 나갈 예정이다.
또 M12 팹의 신속한 양산 체제 돌입으로 낸드플래시 300mm 생산량을 작년 말 월 13만 장 수준에서 올해 연말까지 17만 장 규모로 늘릴 계획이다.
하이닉스 관계자는 "SK텔레콤이 최대 주주가 됨에 따라 그간의 불확실성으로 남아있던 지배구조 문제가 해소되고, 재무 안정성이 크게 제고됨과 동시에 장기적 관점의 성장 전략 추진이 가능할 것"이라고 전망했다.
