중국 최대 D램 반도체 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 20일 자사의 5세대 D램 공정이 양산에 돌입했다고 밝혔다.
로이터통신에 따르면 CXMT는 이 새 공정을 통해 데이터를 저장하는 미세 구조물 사이의 간격을 좁혔다고 설명했다. 이에 따라 하나의 칩에 더 많은 메모리를 집적할 수 있고, 하나의 실리콘 웨이퍼에서 더 많은 개별 칩을 생산할 수 있게 됐다.
CXMT는 칩에서 데이터를 저장하는 부분의 핵심 구조 간 간격을 11.95나노미터(㎚), 즉 약 120억분의 1m 수준으로 줄였다고 설명했다.
CXMT는 5세대 공정 양산 소식과 함께 이 플랫폼을 기반으로 생산한 24기가비트(Gb) LPDDR5X 신제품 2종을 공개했다. LPDDR5X는 주로 스마트폰과 기타 휴대용 전자기기에 사용되는 저전력형 D램이다.
회사 측은 두 제품 모두 CXMT의 기존 동급 제품보다 데이터 저장 용량이 50% 늘었으며 이미 양산에 들어갔다고 전했다.
이번 기술 진전은 중국 정부가 해외 반도체 기술에 대한 의존도를 낮추려는 가운데 이뤄졌다. 미국은 2022년 이후 수출통제를 통해 중국이 일부 첨단 반도체 제조 장비와 관련 소프트웨어에 접근하는 것을 제한해왔다.
CXMT는 컴퓨터 시뮬레이션을 활용하고 핵심 생산 공정에서 중국 반도체 장비업체들과 공동 작업을 진행해 이번 플랫폼을 개발했다고 설명했다.
로이터는 “CXMT가 ‘기술적 돌파구’라고 주장하는 이번 성과는 중국이 세계 메모리 반도체 시장에서 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론테크놀로지에 맞설 더욱 강력한 경쟁업체를 육성하는 데 도움이 될 수 있다”고 평가했다.
