2029년 3분기 차세대 HBM4E 양산
“美 AI 메모리 생태계 구축할 것”
곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 미국 인디애나주에 건설하는 첨단 패키징 공장에서 2029년 3분기부터 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM4E’를 양산하겠다고 밝혔다. 연간 생산능력은 웨이퍼 수십만 장 규모로 구축한다.
곽 사장은 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 열린 SK하이닉스 미국 인디애나 팹 기공식에서 “오늘은 단순히 건설 프로젝트를 시작하는 날이 아니다”며 “SK하이닉스가 미국에서 AI의 새로운 미래를 구축하기 시작하는 날”이라고 말했다.
그는 “2029년 3분기부터 차세대 HBM4E의 양산을 시작할 계획”이라며 “연간 생산능력은 웨이퍼 수십만 장 규모에 이를 것으로 예상한다”고 설명했다. 이어 “고객에게 ‘메이드 인 USA’ HBM의 새로운 공급처를 제공하는 동시에 미국 반도체 공급망을 강화하고 국가·경제 안보에도 기여할 것”이라고 강조했다.
구체적인 공장 건설 일정도 공개했다. SK하이닉스는 인디애나 프로젝트에 40억 달러 이상을 투자한다. SK하이닉스는 오는 10월 주요 시설 건설을 시작해 2028년 10월까지 클린룸을 완공하고 2029년 하반기 차세대 HBM 양산에 돌입할 계획이다.
곽 사장은 “2030년 인디애나는 미국의 핵심 HBM 생산거점으로 자리 잡을 것”이라며 “한국에서 생산한 첨단 HBM 웨이퍼를 인디애나로 가져와 패키징과 테스트를 거친 뒤 미국 고객사에 공급하는 한미 통합 생산체계가 가동될 것”이라고 말했다.
인디애나 팹에서는 제조·엔지니어링·연구개발(R&D) 분야 인력 약 1000명이 협업하며 생산과 연구 간 시너지를 낼 예정이다.
곽 사장은 “AI 로직 칩과 메모리를 하나의 시스템으로 설계하는 것이 갈수록 중요해지고 있다”며 “어드밴스드 패키징은 이를 가능하게 하는 핵심 기술”이라고 말했다. 이어 “고객과 대학, 사업 파트너와 함께 차세대 패키징 기술을 개발하고 시제품 개발부터 성능 검증까지의 속도를 높이겠다”고 했다.
퍼듀대학교와의 협력도 확대한다. SK하이닉스는 퍼듀대와 HBM 시스템 통합 및 첨단 패키징 기술을 공동 연구하기 위한 업무협약(MOU)을 체결한다. 미국 중서부 지역의 주요 대학·연구기관으로 협력 범위도 넓힐 계획이다.
현지 공급망 구축을 위해 100곳 이상의 소재·부품·장비 기업과도 협의를 진행하고 있다. 곽 사장은 “안정적인 현지 생산을 지원하고 미국 내 HBM 공급망을 더욱 강화할 것”이라며 “이번 프로젝트를 통해 직·간접 일자리 약 7000개가 만들어질 것으로 예상한다”고 말했다.
그는 “한 기업만으로 AI 시대의 혁신을 이끌 수는 없다”며 “이번 투자를 통해 미국에 첨단 메모리 공급망을 구축하고 기술과 인재, 산업이 함께 발전하는 미국 AI 메모리 생태계를 조성하겠다”고 강조했다.
이어 “앞으로도 미국 내 투자와 협력을 확대해 미국 AI 산업의 미래를 구축하는 가장 신뢰받는 파트너로 성장하겠다”고 덧붙였다.
