용인 Y2 D램 팹 35조2000억ㆍ
청주 M17 낸드 팹 19조1000억 투자
HBM·엔터프라이즈 SSD 수요 대응
2033년 용인 클러스터 조기 완공 속도
SK하이닉스가 인공지능(AI) 시대 급증하는 메모리 수요에 대응하기 위해 용인과 청주에 총 54조3000억원을 투입해 신규 반도체 생산시설을 건설한다. HBM(고대역폭메모리)과 차세대 D램, 엔터프라이즈 솔리드스테이트드라이브(SSD) 생산 기반을 선제적으로 확보해 글로벌 AI 메모리 시장 주도권을 강화한다는 전략이다.
SK하이닉스는 7일 이사회를 열고 용인 반도체 클러스터 내 D램 생산공장 'Y2'에 35조2000억원, 청주 낸드 생산공장 'M17'에 19조1000억원을 투자하기로 의결했다고 밝혔다.
이번 투자는 회사가 6월 발표한 중장기 투자 전략을 구체화한 것이다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터에 총 600조원, 청주 생산기지 확대에 100조원을 투입하는 계획을 추진하고 있다. 현재 용인 1기 팹(Y1)을 건설 중이며 이번 결정으로 용인과 청주의 후속 생산시설 구축에도 본격 착수한다.
시장조사업체 옴디아는 D램과 낸드 시장이 지난해부터 2030년까지 연평균 19% 성장할 것으로 전망했다. SK하이닉스는 AI 확산으로 메모리가 단순 저장장치를 넘어 AI 성능을 좌우하는 핵심 인프라로 자리 잡으면서 구조적인 수요 증가가 이어질 것으로 판단했다.
용인 Y2는 용인 클러스터에 조성되는 4개 팹 가운데 두 번째 생산시설이다. 연면적 34만1000평 규모로 조성되며 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이다. 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 클린룸을 가동하는 것이 목표다. 투자 집행은 2031년 10월까지 단계적으로 이뤄진다.
특히 SK하이닉스는 당초 2045년으로 계획했던 용인 반도체 클러스터 완공 시점을 12년 앞당겨 2033년까지 4개 팹 건설을 마친다는 목표를 제시한 바 있다. Y2 건설은 이 같은 조기 완공 계획의 핵심 단계다.
이번 투자에는 생산시설뿐 아니라 구성원 지원동과 연구개발통합센터, 수처리시설, 변전시설 등 부대 인프라 구축 비용도 포함됐다. 용인 클러스터의 1단계 전력·용수 인프라는 현재 공정률 99%로 마무리 단계에 접어들었다.
청주에는 차세대 낸드 생산거점인 M17을 신설한다. 연면적 20만6000평 규모로 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 클린룸을 열 계획이다. 투자 기간은 2031년 4월까지다.
SK하이닉스는 AI 서비스 확산으로 엔터프라이즈 SSD 수요가 빠르게 늘고 있는 데다 AI 추론 과정의 KV 캐시 저장 수요, 에이전틱 AI와 피지컬 AI 확산으로 낸드 시장 성장세도 지속될 것으로 내다봤다.
청주를 신규 생산거점으로 선택한 것은 기존 M11·M12·M15 팹과 연계해 생산 효율을 높일 수 있고, 부지와 전력·용수 등 인프라를 활용해 가장 빠르게 공장을 건설할 수 있기 때문이라고 회사는 설명했다.
SK하이닉스는 고객과 논의한 중장기 수요를 바탕으로 생산 인프라를 먼저 확보한 뒤 실제 생산능력은 시장 수요에 맞춰 단계적으로 확대할 방침이다. 팹 건설은 예정대로 진행하되 클린룸 증설과 장비 투입은 고객 수요에 맞춰 순차적으로 추진해 투자 효율성을 높인다는 전략이다.
SK하이닉스 관계자는 "이번 투자는 시장 성장에 따른 기회를 놓치지 않기 위한 전략적 결정"이라며 "선제적인 생산 기반 확보를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망 안정에 기여하는 핵심 AI 인프라 파트너로 자리매김하겠다"고 말했다.
