‘반도체 빅2’ 주도권 경쟁… 삼성, ‘V+Z’ 차세대 낸드ㆍ하이닉스, 10나노급 양산 돌입

▲삼성전자가 특허청에 출원한 Z-SSD와 SAMSUNG Z-NAND 상표권.(출처=키프리스 캡쳐)

4일 관련업계에 따르면, 64단 4세대 V(3D) 낸드 양산에 착수한 삼성전자는 이르면 이달 내 이를 탑재한 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 출시할 계획이다. 기존 제품보다 용량을 두 배 높인 32TB(테라바이트) 서버 SSD다. 세계 최대 용량을 자랑하며, 기존 HDD(하드디스크드라이브)로 구성된 시스템을 이 제품으로 대체할 경우 시스템의 물리적 공간을 약 40분의 1로 줄일 수 있다.

V낸드는 평면구조의 낸드플래시를 수직 구조로 전환한 것이 특징이다. 반도체를 아파트처럼 쌓아올려 집적도를 높이고 저장 용량을 늘렸다. 4세대 V낸드는 기존 3세대(48단) 대비 데이터를 저장하는 셀을 1.3배 더 쌓아올렸다. 삼성전자 관계자는 “서버 SSD를 먼저 내놓은 후, 4세대 V낸드 기술을 채택한 제품을 잇따라 선보일 것”이라고 말했다.

삼성전자는 차세대 ‘Z-낸드’ 기술로 만든 ‘Z-SSD’라는 이름의 하이엔드용 신제품도 연내 출시할 계획이다. Z-SSD는 기존 SSD 저장장치보다 응답시간은 4배, 읽기속도는 1.6배 빠르다. 빅데이터 분석과 서버 구동 등 많은 정보를 한꺼번에 처리하는 작업에 특화한 기업 시장용 차세대 제품이다. D램의 빠른 처리 속도에 낸드플래시의 비휘발성(전원 차단시에도 정보를 기억) 및 대용량을 덧붙인 기술이다. 이와 관련, 삼성전자는 지난해 하반기 특허청에 ‘Z-SSD’, ‘SAMSUNG Z-NAND’라는 상표권을 출원한 것으로 확인됐다.

SK하이닉스는 10나노 후반급 D램 개발을 마치고 1월 안에 램프업(생산량 증대)에 돌입한다. 현재 경기도 이천 신공장인 M14에 일부 보완 장비를 반입하는 등 생산 준비 마무리 단계를 진행 중이다. SK하이닉스는 1분기 내 생산량을 지속적으로 확대해 생산량이 안정적인 궤도에 올라오면, 2분기부터 본격 양산을 시작할 계획이다.

SK하이닉스가 10나노급 D램 양산을 시작하면 업계 1위 업체인 삼성전자와의 기술 격차를 크게 줄일 수 있을 것으로 보인다. 현재 10나노급 D램을 생산할 수 있는 업체는 삼성전자가 유일하다. SK하이닉스 관계자는 “곧 양산될 10나노급 D램에 대한 고객사의 관심이 크다”면서 “다수의 고객사를 중심으로 10나노급 D램의 테스트가 진행되고 있다”고 말했다.