FMS 2026서 zHBM·400단 낸드 공개…AI 반도체 비전 제시
삼성전자가 차세대 AI 반도체 시대를 겨냥한 새로운 메모리 아키텍처를 공개하며 기술 주도권 확보에 나섰다. 기존 고대역폭메모리(HBM)의 한계를 넘어서는 차세대 3차원(3D) 메모리와 400단 이상 낸드플래시를 처음 공개하며 AI 메모리 시장 선점 의지를 드러냈다.
삼성전자는 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에 참가해 차세대 3D 메모리 아키텍처인 'zHBM'과 'zNAND-O'의 목업(Mock-up)을 업계 최초로 공개했다고 5일 밝혔다.
삼성전자는 행사에서 약 20평 규모의 전시 공간을 마련하고 AI 클라우드 서버를 형상화한 부스를 운영했다. 전시관은 '하이라이트', '클라우드 AI', '엣지 AI' 등 3개 존으로 구성됐으며 D램부터 낸드플래시, 스토리지까지 약 30개 제품을 전시해 AI 메모리 핵심 기술과 고객 맞춤형 솔루션을 소개했다.
행사 첫날 기조연설에서는 이진엽 플래시개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 AI 시대 메모리·스토리지 기술 전략을 발표했다. 두 연사는 zHBM, zNAND-O 등 차세대 3D 메모리를 기반으로 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 AI 인프라 수요 증가에 대응하고 AI 시스템의 성능과 전력효율을 극대화하기 위한 기술 비전을 제시했다.
zHBM은 기존 AI 가속기 옆에 배치되던 HBM을 AI 가속기 상단에 수직으로 적층하는 차세대 메모리 아키텍처다. AI 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 최소화해 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능과 최대 3배 향상된 전력 효율을 구현하고 열 저항은 절반 이상 낮췄다.
zHBM은 고객 맞춤형 설계가 가능한 3D 메모리 솔루션으로, 메모리와 AI 가속기 사이에 위치한 인터레이어에 맞춤형 IP를 추가해 메모리 용량 확장, 가속기 성능 강화 등 제품 특성을 최적화할 수 있다. 고객과의 협업을 바탕으로 AI 프로세서와 메모리 간 최적화를 추진해 zHBM의 성능을 극대화할 계획이다.
낸드 분야에서는 차세대 고성능 솔루션인 zNAND-O도 처음 공개했다. zNAND-O는 TSV 기술을 활용해 4단 또는 8단으로 적층한 제품으로, 온디바이스 AI 환경에 최적화된 높은 공간 효율과 데이터 처리 성능을 제공한다.
이와 함께 공개한 V10 BV-NAND는 웨이퍼 본딩과 3-스택(Stack) 기술을 적용해 400단 이상 초고적층 구조를 구현한 차세대 낸드플래시다. 메모리 집적도를 전 세대(V9) 대비 약 58% 높였으며 읽기·쓰기 성능과 입출력(I/O) 속도도 향상시켰다.
삼성전자는 HBM부터 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD)까지 AI 메모리 로드맵도 함께 공개했다. 전시에서는 HBM4E와 HBM5, LPDDR5X-PIM, 기업용 SSD인 PM1763과 BM1773 등을 선보였다. HBM5에는 신규 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)를 적용해 대역폭과 용량을 한층 높였다고 설명했다.
이와 함께 메모리 로직, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 '원스톱 솔루션' 전략도 소개했다. 제품 설계부터 양산까지 통합 서비스를 제공해 고객의 AI 반도체 개발 기간을 단축하고 성능과 전력 효율을 최적화하는 것이 핵심이다.
삼성전자는 세계에서 유일하게 △메모리 △로직 △파운드리 △패키징까지 아우르는 '원스톱 솔루션'을 제공할 수 있는 종합반도체(IDM) 기업이다. 고객의 제품 설계 단계부터 양산까지 통합 서비스를 제공해 개발 기간을 줄이고, 성능과 전력효율을 최적화함으로써 고객 맞춤형 AI 반도체 구현을 지원한다.
삼성전자는 FMS 2026에서 엔드 투 엔드(End-to-End) 솔루션 역량을 기반으로 차세대 AI 인프라 혁신을 위한 메모리·스토리지 기술 전략과 로드맵을 제시했다.
