하이닉스 "30나노, 내년 1분기 양산"

입력 2010-12-23 17:08

최재혁 기자

하이닉스반도체가 2011년 1분기 30나노대 디(D)램 양산에 들어가며 원가경쟁력을 높인다.

권오철 하이닉스 사장은 23일 '대ㆍ중소기업 동반성장을 위한 반도체 펀드 협약식'에서 기자들과 만나 "30나노 디램 반도체 공정 개발을 완료했으며 내년 1분기 중 양산에 들어간다"고 밝혔다.

이에 따라 하이닉스는 원가경쟁력은 더욱 강화된다. 미국의 마이크론은 현재 50나노대 공정을 주력으로 생산하고 있으며 엘피다는 60나노대 공정에 머물러 있다.

30나노대 생산공정은 40나노에 비해 생산성을 60%이상 높일 수 있다.

권 사장은 이날 행사의 의미에 대해서는 "우리나라가 미국, 일본에 비해 동반 성장 인프라가 취약해 아직 균형 있는 발전이 안되고 있다"며 "이번 펀드 조성으로 반도체 산업의 폭과 깊이가 더욱 성장할 것이다"고 말했다.

협약식에 함께 참석한 우남성 삼성전자 시스템LSI 사장은 "전체 시장 크기는 시스템 반도체가 더 크지만 우리나라는 지금까지 메모리 반도체에 집중해서 성공했다"며 "이젠 미래 산업인 시스템 반도체에도 눈을 돌려야 한다"고 말했다.

이번에 조성된 반도체 펀드는 시스템 반도체 및 장비기업의 육성을 위해 투자금으로 삼성전자가 300억원, 하이닉스가 150억원 등 모두 1500억원 규모로 조성됐다.

우 사장은 내년 사업전략에 대해서는 "아직까지 사업을 확정짓는 단계에 있다"며 "내년 2월에 열리는 모바일 월드 콩그레스(MWC)에서 전략 사업을 공개한다"고 말했다.