엔비디아와 마이크론이 잇달아 S램(SRAM)을 언급하면서 관련 생산 역량을 갖춘 삼성전자가 수혜를 볼 수 있다는 분석이 나온다. 인공지능(AI) 인프라 확장과 함께 기존 D램 중심 구조를 보완하는 메모리로 S램이 재조명되고 있다는 평가다.
19일 업계에 따르면 S램은 최근 AI 인프라 확대 흐름과 맞물리며 활용 범위와 수요가 동시에 늘어나고 있다. S램은 오래전부터 메모리 제조사들이 생산해 온 제품이지만 고성능·고효율이 요구되는 AI 환경에서 다시 주목받고 있다.
S램은 D램 대비 접근 지연이 적고 병목 현상이 거의 없다는 장점이 있다. 다만 제조 단가가 높아 그동안 중앙처리장치(CPU)나 그래픽처리장치(GPU) 내 캐시 메모리 등 제한적인 용도로 사용됐다. 그러나 최근 AI 연산 과정에서 발생하는 데이터 이동 병목을 해소할 수 있는 수단으로 주목받으면서 중요성이 커지고 있다.
마이크론은 18일(현지시간) 실적발표 후 콘퍼런스 콜에서 S램과 D램의 관계를 ‘보완적’이라고 강조했다. ‘LPU(언어처리장치) 등 새로운 아키텍처에서 S램 사용 확대가 D램 수요를 잠식할 수 있느냐’는 질문에 대해 “오히려 보완적인 관계”라며 “새로운 아키텍처가 AI 인프라를 효율적으로 만들면 전체 시장이 더 빠르게 커진다”고 밝혔다.
마이크론은 엔비디아의 ‘그록(Groq)3’ LPU를 탑재한 랙 ‘LPX’를 사례로 들었다. 해당 시스템은 약 12TB 규모의 DDR5를 사용하며 이를 보조하는 S램의 역할도 함께 확대된다는 설명이다. AI 인프라가 고도화될수록 고용량·고속 메모리에 대한 수요가 동시에 증가하는 구조라는 의미다.
엔비디아 역시 16일 연례 개발자 콘퍼런스(GTC)에서 공개한 ‘그록3’을 통해 S램의 중요성을 부각했다. 이 칩은 삼성전자 파운드리에서 생산되는데 약 500MB 용량과 150TB/s 수준의 대역폭을 갖춘 S램이 탑재된 것으로 알려졌다. 그록3은 고대역폭메모리(HBM)가 적용된 AI 가속기와 함께 구동되는 구조로 S램과 HBM이 동시에 활용되는 메모리 구조가 형성되고 있다.
이처럼 S램 기반 LPU와 HBM 기반 가속기가 결합하는 구조는 AI 인프라 확장과 직결된다. S램 수요 증가가 단순히 특정 메모리 시장 확대에 그치지 않고 전체 AI 산업 규모를 키우는 요인으로 작용할 것으로 기대되는 이유다.
이 과정에서 삼성전자의 수혜 가능성이 거론된다. 삼성전자는 이미 S램 생산 역량을 확보한 반면, SK하이닉스는 관련 기술을 보유하고 있으나 상용화 측면에서는 초기 단계로 평가된다. 삼성전자는 지난해 미국에서 S램 회로 및 로직 설계 인력 채용을 진행하는 등 기술 내재화에도 속도를 내고 있다.
김영건 미래에셋증권 연구원은 “삼성전자는 이번 수주를 통해 대용량 온칩 S램을 포함한 데이터센터급 가속기 양산 역량을 검증받은 것”이라며 “S램에서 SSD까지 전체 메모리 계층(hierarchy)을 포괄할 수 있는 풀스택 제조사는 삼성전자가 사실상 유일하다”고 말했다.
다만, S램은 대부분 칩 내부에 내장되는 특성상 별도의 매출 규모가 크게 잡히지 않는 영역으로 당장 실적을 견인하는 수준의 영향은 제한적이라는 분석도 나온다.
