고층 낸드·고속 D램 내세운 중국…글로벌 격차 좁힌다 [ET의 칩스토리]

중국 메모리 반도체 기업 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)와 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 잇따라 차세대 낸드와 고성능 D램을 선보이며 글로벌 메모리 시장에서 기술 추격 속도를 크게 끌어올리고 있다. 주요 제품의 층수와 속도 등 핵심 사양이 빠르게 상향되면서 양사의 시장 점유율도 확대되고 있고, 미국의 장비 규제에도 중국 업체들의 수율과 생산 능력이 개선되면서 한·미·일 메모리 제조사들에 중장기 경쟁 압박이 커질 것이라는 전망이 제기된다.

24일 외신 등에 따르면 중국 낸드 업체 YMTC는 올해 1~3월 출하량 기준 점유율이 처음으로 10%를 뛰어넘은 뒤, 7~9월에는 13%에 도달한 것으로 파악됐다. YMTC가 양산을 시작한 270단 3D 낸드가 적층 수 측면에서 선두권 제조사와 비교해 기술 격차를 크게 좁힌 것이다.

YMTC는 내년 말까지 글로벌 출하량 점유율 15% 달성을 목표로 하고 있다. 중국 우한 인근에서 추진 중인 신규 공장이 완공되면 YMTC의 글로벌 공급량 비중이 약 20%까지 확대될 것이라는 전망도 있다.

이 경우 현재 시장 점유율 순위(삼성전자 31.9%, SK하이닉스·솔리다임 16.6%, 마이크론 15.4%, 키옥시아 14.6%)에서 YMTC는 키옥시아를 넘어 SK하이닉스를 추격하는 위치까지 올라서게 된다. 중국산 낸드 가격이 경쟁사 대비 10~20% 저렴하다는 점도 시장 확대의 중요한 배경으로 꼽힌다.

D램 제조사 CXMT 역시 기술과 점유율을 동시에 끌어올리고 있다. CXMT의 글로벌 D램 시장 점유율은 최근 6%에서 8%로 상승한 것으로 전해졌다. 특히 범용 DDR 제품군을 중심으로 개발 속도가 빨라지고 있고, 자국 내 중국산 메모리 채택이 늘어나면서 CXMT의 시장 영향력도 강화되는 분위기다.

최근 중국 내 반도체 박람회에서 CXMT가 공개한 5세대 더블데이터레이트(DDR5) 신제품은 업계 주목도를 더욱 높였다. 16기가바이트(Gb)와 24Gb 용량의 DDR5를 최대 8000Mbps 속도로 동작한다고 밝혔다. 이는 삼성전자의 DDR5 최고속도(7200Mbps)보다 높은 수준으로, 속도 부분에서는 성능 격차를 해소했다는 분석이 나온다.

다만 인공지능(AI) 서버와 그래픽처리장치(GPU) 시장에서 고대역폭메모리(HBM)가 핵심 부품이라는 점을 고려하면 중국 업체의 경쟁력은 아직 제한적인 상황이다.

삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 HBM4(6세대) 개발이 완료된 반면, CXMT는 3세대(HBM2E) 수준에 머물러 글로벌 선두권 대비 약 4~5년의 차이가 있는 것으로 평가된다.

이와 달리, 범용 D램과 낸드는 저렴한 가격 경쟁력과 내수 시장, 중국 정부의 대규모 투자 지원이 겹치며 중국 기업의 추격 속도가 예상보다 빠르다는 분석이 나온다. 고부가가치 메모리인 HBM에서는 아직 뒤처지지만, 글로벌 범용 메모리 시장에서는 몇 년 내 시장 판도가 흔들릴 수 있다는 의미다.