SK하이닉스, 업계 최초 TSV 기반 초고속 메모리 개발… 내년 하반기 양산

입력 2013-12-26 10:05

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▲HBM을 SoC와 결합한 SiP 개념도. 사진제공 SK하이닉스

SK하이닉스는 업계 최초로 TSV(실리콘관통전극) 기술을 적용한 HBM(High Bandwidth Memory; 초고속 메모리) 제품을 개발했다고 26일 밝혔다.

이 제품은 국제 반도체공학 표준 협의기구(JEDEC)에서 표준화를 진행 중인 고성능, 저전력, 고용량 D램 제품이다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현해 초당 128GB의 데이터를 처리할 수 있다. 기존 GDDR5보다 4배 이상 빠르며, 전력소비는 40% 가량 낮췄다. 고사양 그래픽 시장을 시작으로 향후 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 것으로 보인다.

SK하이닉스는 이번 HBM 제품에 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단으로 적층했다. 기술 검증을 위해 그래픽 분야 선두 업체인 AMD와 공동 개발했다. 내년 상반기 중 샘플을 고객들에게 전달할 계획이다. 또 HBM을 SoC와 같이 탑재해 한 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 공급할 예정이다. 양산은 내년 하반기로 계획하고 있다.

SK하이닉스 D램개발본부장 홍성주 전무는 “TSV 기술을 활용한 HBM 제품의 내년 상용화를 시작으로 제품 포트폴리오를 더욱 강화해 메모리 시장에서 주도권을 지속 확보하겠다”고 밝혔다.