“강한 자만 살아 남는다”… 삼성·SK하이닉스 ‘반도체 부활의 노래’

강한 자만 살아남고, 살아남은 자는 달콤한 과실을 따 먹는다. 전 세계 메모리반도체 업계 1, 2위인 삼성전자와 SK하이닉스를 두고 하는 말이다. 반도체 불황의 시기를 버텨온 이들 두 회사가 본격적인 성장 국면에 접어들었다. 시장은 살아났고, 경쟁자는 줄었다. 외국 업체보다 기술력도 월등하다.

22일 관련업계에 따르면 내년 D램 메모리 시장이 19년 만에 처음으로 400억 달러를 넘어설 것으로 전망되고 있다. 특히 치킨게임 이후 시장이 정리되면서 과거와 같은 공급과잉이 일어날 확률은 적다는 분석이다.

이승우 IBK투자증권 연구원은 “마진이 너무 높아 업황 피크에 대한 논란이 끊이지 않고 있다”며 “그러나 이제 메모리 산업의 패러다임이 바뀌었다”고 밝혔다.

지난 2011년 대만업체들의 구조조정과 지난해 일본 엘피다의 파산으로 D램 산업은 삼성전자-SK하이닉스-마이크론 등 3강 체제로 재편됐다. 이는 공급업체들의 투자 합리화로 이어지며 시장이 살아났다. D램 시장이 장기호황에 접어들 것이란 전망도 설득력을 얻고 있다. 낸드플래시 역시 마찬가지다. 스마트폰·태블릿PC 수요 호조와 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 시장의 본격 성장 등으로 성장세를 이어갈 전망이다.

이러한 시장 호황의 수혜자는 단연 삼성전자와 SK하이닉스다. 이들 업체는 이미 올해부터 급격한 성장세를 보이고 있다.

삼성전자 반도체를 담당하는 DS부문은 3분기 매출 9조7400억원, 영업이익 2조600억원을 기록하며 전 분기 대비 매출과 수익성이 모두 개선됐다. 특히 지난해 같은 기간보다 영업이익은 무려 102% 증가했다. SK하이닉스가 올 2·3분기 벌어들인 돈은 각각 1조1140억원과 1조1640억원. 영업이익률은 각각 28.3%, 28.5%다. SK그룹 역사상 한 계열사에서 분기 영업이익 1조원이 넘게 나온 적은 SK하이닉스가 처음이다.

양사의 앞 날은 더 밝다. 경쟁사와 차별화된 기술력과 공정 미세화 능력을 갖췄기 때문. 삼성전자는 내년부터 TSV(실리콘관통전극)기술을 적용할 계획이다. TSV는 D램에 미세한 구멍을 뚫어 프로세서와 낸드 플래시메모리를 연결하는 기술이다. 칩간 물리적 거리가 가까워 시스템 속도가 획기적으로 빨라지고, 패키징 크기 35%, 전력 50%를 줄일 수 있는 장점을 갖고 있다. 또 3차원 V낸드를 내년 1분기부터 본격 양산한다. 3차원 V낸드는 수평적 셀구조에서 수직적 셀구조로 변화시킨 개념이다. 이를 통해 낸드플래시의 대용량화와 원가를 대폭 낮출 수 있다. SK하이닉스는 업계 최소 미세공정인 16나노를 적용한 64Gb(기가비트) ‘MLC 낸드플래시’의 본격 양산에 돌입했다. MLC는 정보를 저장하는 최소 단위인 셀 하나에 한 개의 정보(1비트)를 저장하는 싱글셀(SLC)과 달리 두 개의 정보(2비트)를 저장하는 방식이다. SK하이닉스는 또 MLC 방식의 단일칩 기준으로 최대 메모리 용량인 128Gb 낸드를 내년 초 양산할 계획이다.