[제2회 한일산업포럼]SK하이닉스, 글로벌 업체 제휴 ‘초고속 메모리’ 개발

세계 2위 메모리 반도체 기업으로 성장해 온 SK하이닉스는 미래 성장동력인 차세대 메모리 기술력 확보를 위해 적극적인 연구개발에 착수하고 있다. D램과 낸드플래시의 미세공정 전환 한계에 대비하고 다양한 미래 메모리 반도체 시장을 대비하기 위해서다. 차세대 메모리의 장점은 고용량에 저전력을 구현한 그린 반도체라는 점이다.

이를 위해 SK하이닉스는 글로벌 업체들과의 전략적 제휴에도 적극 나서며 차세대 메모리 개발 및 상용화에 박차를 가하고 있다. 지난 2010년 9월 SK하이닉스는 미국 HP의 ‘멤리스터’ 기술을 적용한 Re램 공동 개발에 착수했다. Re램은 현재의 낸드플래시보다 쓰기 속도가 100배 이상 빠르고, 공정 미세화에 따른 한계를 해결할 수 있어 보다 많은 정보의 저장이 가능하다. 또 구동에 필요한 전력소요도 적어 모바일 시대에 적합한 고속·대용량·저전력을 갖춘 메모리로 평가받는다.

SK하이닉스는 지난 2011년 7월 일본 도시바와 STT-M램과 관련해 개발·생산·특허 등 전략적 제휴를 체결했다. STT-M램은 초고속 저전력으로 동작하며 전원공급 없이도 데이터를 저장하는 비휘발성의 장점과 데이터 안정성 등을 두루 갖춘 차세대 메모리다. 또 기술적 한계로 여겨지는 10나노 이하에서도 집적이 가능하다.

지난해 6월에는 미국 IBM과 P램 공동개발 및 기술 라이선스에 관한 계약을 체결했다. P램은 낸드플래시의 일반적 읽기 및 쓰기 속도보다 100배 이상 빠르고, 내구성은 1000배 이상 좋으며 D램과 같이 낮은 전압에서 동작이 가능하다.

올초 SK하이닉스는 TSV 기술을 활용해 40나노급 2Gb DDR3 D램을 8단 적층하는 데도 성공했다. 이는 기존의 와이어 본딩 방식에 비해 동작 속도는 50%가량 향상되고 소비전력도 40% 줄어드는 특징이 있다.