삼성전자, 초고속 20나노급 DDR4 D램 양산

입력 2013-08-30 11:00

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▲삼성전자의 '20나노급 DDR4 모듈' 제품. 사진제공 삼성전자

삼성전자가 업계 최초로 차세대 초고속 메모리 ‘DDR4’ 시대를 열었다.

삼성전자는 30일 차세대 데이터센터의 엔터프라이즈 서버에 탑재되는 20나노급 16GB DDR4 모듈과 20나노급 32GB DDR4 모듈 양산에 돌입했다고 밝혔다. 20나노급 DDR4 D램은 2008년 50나노급 DDR3 D램 이후 5년만에 메인 메모리 시장을 전환하는 제품이다. 세계 최소 칩사이즈에 초당 데이터 처리속도가 2667Mb/s 까지 구현된다. 이는 20나노급 DDR3 D램보다 소비전력을 30% 이상 감소 시키면서도 속도는 1.25배 빠르다.

삼성전자가 20나노급 32GB DDR4 모듈을 본격 공급하면 현재 30나노급 8GB DDR3 모듈이 주를 이루는 서버시장은 DDR4로 빠르게 전환할 것으로 보인다.

엔터프라이즈 서버에 탑재되는 D램의 처리 속도를 높이면 시스템 처리 성능을 높이면서도 전체 소비 전력을 대폭 낮출 수 있다. 대용량 메모리를 통해 최소 비용으로 시스템 전체 성능을 극대화할 수도 있다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장은 “초고속 DDR4 모듈은 하반기 차세대 서버 탑재를 시작으로 프리미엄 메모리 시장에서 본격적인 수요를 창출해 나갈 것”이라며 “내년에는 32GB DDR4 모듈을 중점 공급해 글로벌 고객들이 그린 IT시장을 확대시키는데 기여할 것”이라고 말했다.