이건희 회장 "반도체 업계 태풍에 대비해야"(상보)

입력 2011-09-22 14:56수정 2011-09-23 09:30

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화성캠퍼스 메모리 16라인 가동식 참석

▲22일 삼성전자 반도체 나노시티 화성캠퍼스에서 개최된 '메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램·플래시 양산' 행사에서 이건희 회장이 임직원 대표들로부터 16라인에서 생산된 '1호 반도체 웨이퍼'를 전달받고 있다.

이건희 삼성전자 회장은 "많은 직원들의 노력으로 기술 리더십을 지킬 수 있었지만, 앞으로 더욱 거세질 반도체 업계발 태풍에도 대비해야 한다"고 말했다.

삼성전자 반도체 나노시티 화성캠퍼스에서 22일 열린 '메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램·플래시 양산' 행사에 참석한 이건희 회장은 최초로 생산된 반도체 웨이퍼를 전달받은 후 "반도체 업계에 몰아 치는 거센 파도 속에서도 메모리 16라인의 성공적 가동과 세계 최초의 20나노급 D램 양산 성공을 위해 혼신의 힘을 기울인 임직원들에게 감사의 뜻을 전한다"며 직원들을 격려했다.

삼성전자가 가동식을 연 16라인은 지난 해 5월에 착공해 1년 3개월 만에 가동에 들어간 라인면적(FAB: 반도체 제조공장) 약 6만평 규모의 12층 건물로 낸드를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산라인이다.

삼성전자는 이로써 메모리 선두업체로서 위상을 강화하는 한편, 장기적으로는 글로벌 IT 시장을 지속 성장시키며 한 단계 더 도약하기 위한 발판을 마련할 수 있게 됐다.

이 날 행사에는 이건희 삼성전자 회장과 권오현 DS사업총괄 사장, 이재용 사장 등 주요 경영진과 소니 나카가와 유타카 부회장을 비롯한 글로벌 IT 업체 관계자 등 500여명이 참석했다.

마이크로소프트 스티브 발머 CEO, HTC 셰어 왕 회장, DELL 제프 클라크 부회장, 레노보 양위엔칭 CEO, IBM 프랜 오 설리반 부사장 등은 영상 메시지를 보내 삼성전자가 낸드 플래시를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 16라인을 가동하는 한편, 업계에서 처음으로 20나노급 D램을 양산하게 된 것을 축하했다.