삼성전자, 세계 최초 20나노 D램 양산

삼성전자가 세계 반도체 업계 최초로 20나노 D램 양산에 들어갔다.

삼성전자는 22일 나노시티 화성캠퍼스에서 ‘20나노 D램·플래시 양산 행사’를 열고 반도체 업계에서 다시 한번 도약할 수있는 20나노급 D램 양산을 자축했다. 이와 함께‘메모리 16라인 가동식 행사’도 가졌다.

삼성전자는 30나노급 DDR3 D램과 동등한 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 정도 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 20나노급 2Gb D램의 양산을 이 달부터 시작했다고 밝혔다.

또 올해 말에 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는 4GB·8GB·16GB·32GB 등 다양한 제품군을 본격적으로 양산할 계획이다.

삼성전자는 앞으로 엔터프라이즈 서버 시장을 시작으로 범용 노트북 시장까지 다양한 IT 시장에서 고객에게 가치를 제공하는 그린 메모리의 비중을 지속적으로 확대할 예정이다.

지난 해 5월에 착공해 1년 3개월 만에 가동에 들어간 메모리 16라인은 라인면적(FAB: 반도체 제조공장) 약 6만평 규모의 12층 건물로 낸드를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산라인이다.

올 2월 건물을 완공해 5월 클린룸 공사를 마쳤다. 6월부터 시범 가동에 들어가 8월에 양산 체제를 갖췄다. 9월부터 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만매 이상 생산하며 본격 양산을 시작했다.

삼성전자는 빠르게 늘어나는 낸드 플래시 수요에 맞춰 올해 말까지 12인치 웨이퍼 생산 규모를 늘려 나가고 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획이다.

한편 이건희 회장은 지난해 5월 경영 복귀 후 첫 방문지로 이 날 가동식을 가진 반도체 16라인 기공식 현장을 방문한 데 이어 이날 준공식에도 참석함으로써 반도체 사업에 대한 각별한 애정을 드러냈다.

이날 행사에는 이 회장을 비롯, 권오현 디바이스솔루션(DS) 사업총괄 사장, 이재용 사장 등 경영진과 소니 나카가와 유타카 부회장을 비롯한 글로벌 IT 업체 관계자 등 500여명이 참석했다.

또 마이크로소프트 스티브 발머 최고경영자(CEO), HTC의 셰어 왕 회장, 델의 제프 클라크 부회장, 레노보의 양위엔칭 CEO, IBM의 프랜 오 설리번 부사장 등은 영상메시지를 보내 삼성전자가 낸드 플래시를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 16라인을 가동하는 한편 업계 처음으로 20나노급 D램 양산을 축하했다.