하이닉스, 올 투자금액 3조500억원으로 확대(상보)

수정 2010-05-31 09:22

입력 2010-05-31 09:11

송영록 기자

미세공정전환 가속화 및 R&D 역량 집중

하이닉스반도체는 2010년 투자금액과 관련해 기존 2조3000억원에서 7500억원 늘어난 3조500억원으로 확대한다고 31일 밝혔다.

투자확대 배경으로는 견조한 수요를 바탕으로 최근 메모리반도체 시장환경이 변화되고 있는 가운데, 서버·그래픽·모바일 등 고부가가치 제품에 대한 고객 요구에 적극적으로 대응하기 위한 것이라고 설명했다.

또 차세대 제품 개발을 위한 R&D에도 투자를 확대해 기술경쟁력을 강화한다는 전략이다.

이번 확대된 투자는 경쟁사대비 40나노급 D램 공정전환을 가속화해 약 15% 수준인 40나노급 제품비중을 연말까지 약 50% 수준으로 확대할 예정이다.

40나노급 D램은 50나노급 대비 생산성이 50% 이상 향상되어 원가경쟁력이 강화되고, 이를 바탕으로 DDR3 등의 제품을 고객에게 적기에 공급해 수익성을 높인다는 계획이다.

하이닉스는 미세공정전환 가속화 및 차세대 제품 개발역량 집중으로 경쟁사들과의 원가 및 기술 경쟁력 격차를 더욱 확대할 계획이다.