SK하이닉스 "차세대 HBM 내년 계획까지 논의 중"

▲좌담회에 참석한 SK하이닉스 임원들. 왼쪽부터 권언오 부사장(HBM PI), 김기태 부사장(HBM S&M), 이동훈 부사장(321단 낸드 PnR), 오해순 부사장(낸드 어드밴스드 PI), 길덕신 부사장(소재개발), 손호영 부사장(Adv. PKG개발), 이재연 부사장(Global RTC). (자료출처=SK하이닉스 뉴스룸)

SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 공급과 관련해 내년까지 계획을 논의하고 있다고 밝혔다.

30일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 최근 열린 SK하이닉스 신임 임원 좌담회에서 김기태 HBM 세일즈&마케팅(S&M) 부사장은 "현재 시장 상황을 보면 빅테크 고객들이 인공지능(AI) 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다"고 말했다.

이어 "이에 맞춰 우리는 차세대 HBM 제품 등을 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지의 계획을 미리 논의하는 중"이라고 덧붙였다.

SK하이닉스는 3월부터 5세대 HBM 제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산하기 시작했다. 6세대인 HBM4 양산 시점도 내년으로 앞당겼다. SK하이닉스는 지난해 글로벌 HBM 시장의 53%를 차지하면서 업계 선두를 달리고 있다.

권언오 HBM PI 부사장은 "(HBM) 시장이 열리기 전부터 오랜 시간 동안 끈질기게 이어져 온 AI 메모리에 대한 투자와 연구가 회사 성장의 밑거름이 됐다"며 "이를 바탕으로 HBM과 함께 다양한 분야에서 쓰이게 될 고성능 메모리를 개발하는 등 기술력과 양산 노하우를 선제적으로 확보하면서 탄탄하게 경쟁력을 축적해올 수 있었다"고 설명했다.

손호영 어드밴스드 패키징 개발 부사장은 "HBM의 성공은 고객과의 협력은 물론, 내부 부서간 협업 과정에서도 이전보다 열린 방식으로 일해왔기에 가능했던 일"이라며 "앞으로 더 다양해질 시장의 요구에 부응하려면 고객과 한 차원 더 높은 협력 관계를 맺고, 메모리와 시스템, 전공정과 후공정의 경계가 허물어지는 이종 간 융합을 위한 협업을 준비해야 한다"고 강조했다.

AI 산업이 확장되면서 새로운 메모리 시장이 열리고 있다는 분석도 나왔다.

오해순 낸드 어드밴스드 PI 부사장은 "그동안 AI 산업에서 낸드에 대한 주목도가 높지 않았지만, 대용량 AI 서버 수요가 늘면서 eSSD와 같은 낸드 솔루션이 각광받기 시작했다"며 "여러 분야에서 신시장이 열리고 있는 만큼, 다양한 메모리 제품들이 주목받고 있는 상황"이라고 했다.

이재연 글로벌 RTC 부사장은 "차별화된 기술력을 갖추기 위해 기존 메모리의 한계를 뛰어넘는 이머징(Emerging) 메모리에 대한 관심도 커지고 있다"며 "특히 기존 D램의 고속 성능과 낸드의 고용량 특성을 동시에 갖춘 자기 저항 메모리(MRAM), 저항 변화 메모리(RRAM), 상변화 메모리(PCM) 등이 주목받고 있다"고 말했다.

미래 산업과 기술 변화 대응을 위해서는 고객 관계 강화, 글로벌 협력이 중요하다는 의견이 나왔다.

권 부사장은 "HBM4는 메모리에 로직 반도체 공정을 도입하는 첫 제품이 될 것"이라며 "신공정을 도입하는 일은 고객들이 원하는 수준 이상의 스펙을 구현하는 것 외에도, 관련 업계와의 협업으로 이어져 새로운 기회를 만들어줄 것"이라고 설명했다.

손 부사장 "기존 메모리의 성능을 높이고, 메모리와 비메모리 등 이종 간 집적을 구현하려면 어드밴스드 패키징 기술을 고도화해야 한다"며 "이를 위해서는 다양한 분야의 글로벌 산학연 주체들과 함께 기존 메모리 분야에서부터 융복합 반도체에 이르기까지 협력을 강화해야 한다"고 했다.