SK하이닉스, 7세대 HBM 2026 양산…계획보다 1년 앞당겨

입력 2024-05-13 17:48

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SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리인 HBM4E를 당초 계획보다 1년 앞당긴 2026년 양산할 계획이다.

13일 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 서울 광진구 그랜드워커힐 호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 이같은 로드맵을 밝혔다.

김 팀장은 “그동안 HBM은 2년 단위로 발전해왔지만, 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다”고 설명했다.

이에 SK하이닉스는 6세대인 HBM4는 내년, HBM4E는 내후년 개발을 완료할 것으로 보인다.

HBM4E는 16단~20단 제품이 될 것으로 점쳐진다. 이미 SK하이닉스는 HBM4 12단 제품은 내년, 16단 제품은 2026년 양산하겠다고 밝힌 바 있다.

SK하이닉스는 HBM4 이후부터는 더 많은 D램을 적층하기 위해 하이브리디 본딩을 적용할 수 있다는 입장도 내비쳤다. 하이브리드 본딩은 칩 사이의 범프를 없앨 수 있어 더 많은 D램을 적층할 수 있다.

업계에선 SK하이닉스가 HBM4E에는 10나노급 6세대(1c) D램을 처음으로 적용할 것으로 보고 있다. 이를 통해 HBM4E부터는 저장 용량을 크게 늘릴 수 있을 전망이다. 지금까지는 SK하이닉스는 10나노급 5세대(1b) D램을 활용해 HBM3E와 HBM4를 만들었다.