이정배 삼성전자 사장 "반도체 직접도 극한 수준까지…고객 맞춤형 제품도 만들 것"

▲이정배 삼성전자 사장 (자료제공=삼성전자)

이정배 삼성전자 사장이 "D램과 낸드플래시 직접도를 극한 수준으로 높여나가고, 고객 맞춤형 제품을 포함한 차별화된 솔루션을 제안해나갈 것"이라고 말했다.

이 사장은 17일 삼성전자 뉴스룸에 올린 기고문에서 "앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다"며 이같이 밝혔다.

그는 "D램은 3차원(3D) 적층 구조와 신물질을 연구·개발하고 있으며, V낸드는 단수를 지속 늘리면서도 높이는 줄이고, 셀 간 간섭을 최소화해 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 당사의 강점을 지속 고도화해 나갈 것"이라고 했다.

그러면서 "현재 개발 중인 11나노급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것"이라며 "9세대 V낸드도 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발하고 있다"고 덧붙였다.

고부가 제품과 선단 공정 비중을 늘리고 연구·개발(R&D)도 강화한다고 했다.

이 사장은 "삼성전자는 고부가 제품과 선단 공정의 생산 비중을 높이고, 초거대 AI 등 신규 응용처에 대한 메모리 수요에 적기 대응해 사업의 가치를 높이는 데 집중하고 있다"며 "이와 동시에 투자를 지속하면서 수요 변동성과 메모리 제품의 긴 생산 리드 타임을 극복하기 위해 메모리 라인 운영을 고도화해 나갈 것"이라고 말했다.

이를 위해 "삼성전자 메모리 사업을 시작한 기흥캠퍼스에 첨단 반도체 R&D 라인을 구축하는 등 미래를 위한 투자를 이어 가겠다"고 강조했다.

파트너사 협력 강화도 약속했다.

그는 "고객, 파트너사와의 협력을 확대해 상품기획, 기술개발, 품질 전반에 걸쳐 새로운 제품과 시장을 개척할 것"이라며 "제품 사양 정의 단계부터 시작해 데이터 전송 속도 지연 최소화, 대역폭 극대화 구현과 획기적인 전력 효율 향상 등 차세대 시스템과 응용에 최적화된 메모리 솔루션의 공동 개발을 확대해 나갈 것"이라고 설명했다.

이와 함께 " D램과 낸드의 혁신적 기술 준비를 위해 소재, 장비 등 전 세계 파트너사와의 협력도 강화할 것"이라고 했다.

끝으로 이 사장은 "삼성전자가 만들어 왔던 성과와 업적들은 실패를 두려워하지 않는 담대함과 반드시 이루고자 하는 간절함, 그리고 과감한 도전이 있었기에 가능했다고 생각한다"며 "미래 사회는 더욱 복잡해질 것이며, IT 산업 발전에 따라 다양한 제품과 새로운 서비스가 등장할 것이다. 삼성전자는 지속적인 도전과 혁신을 통해 더 나은 미래를 열어 갈 것"이라고 말했다.

한편 삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 개최되는 ‘삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023’에서 최신 메모리 반도체 기술과 제품, 미래 전략 등을 소개한다는 계획이다.