[종합] 삼성전자, EUV 전용 라인 본격 가동… 이재용 "긴 여정 첫 단추 꿰었다"

▲삼성전자 V1라인 전경 (사진제공=삼성전자)

이 부회장이 방문한 'V1 라인'은 삼성전자의 반도체 미래를 이끌 첫 EUV(극자외선) 전용 라인이다. 최근 본격적으로 7나노 이하 반도체 생산에 돌입했으며, 앞으로 차세대 파운드리 제품을 주력으로 생산할 계획이다.

이 부회장은 "지난해 우리는 이 자리에 시스템반도체 세계 1등의 비전을 심었고, 오늘은 긴 여정의 첫 단추를 꿰었다"며 "이곳에서 만드는 작은 반도체에 인류사회 공헌이라는 꿈이 담길 수 있도록 도전을 멈추지 말자"고 말했다.

삼성전자는 지난해 '반도체 비전 2030'을 발표하고 시스템반도체에 133조 원 투자 및 1만5000명 채용, 생태계 육성 지원방안 등을 밝힌 바 있다.

삼성전자는 'V1 라인'에서 초미세 EUV 공정 기반 7나노와 혁신적인 GAA(Gate-All-Around) 구조를 적용한 3나노 이하 차세대 파운드리 제품을 주력으로 생산할 계획이다.

이미 최첨단 공정 기술을 바탕으로 퀄컴, 바이두 등 대형 팹리스(반도체 회로 설계) 기업과 협력을 추진하며 모바일부터 HPC(하이 퍼포먼스 컴퓨팅) 분야까지 파운드리 영역을 확대해 나가고 있다.

특히 V1 라인은 5G(5세대 이동통신)·인공지능(AI)·자율주행 등 4차 산업혁명 시대를 가속화하는 차세대 반도체 생산 핵심기지로서 역할을 할 것으로 기대된다.

2018년 초 건설을 시작해 작년 하반기 완공된 V1 라인의 누적 투자 금액은 약 60억 달러(7조2000억 원) 수준이다.

V1 라인 가동으로 올해 말 기준 7나노 이하 제품의 생산 규모는 지난해 대비 약 3배 이상 확대될 것으로 예상된다.

삼성전자는 작년 4월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 7나노 SoC(시스템온칩) 제품을 출하한 데 이어, 같은 해 하반기부터는 6나노 제품 양산을 시작했다.

EUV 노광 기술은 짧은 파장의 극자외선으로 세밀하게 회로를 그릴 수 있어 7나노 이하 초미세 공정을 구현할 수 있다. 이는 급증하는 정보를 처리할 수 있는 고성능 저전력 반도체를 만드는데 필수적인 기술이다.

삼성전자 관계자는 "5나노 공정은 작년 하반기 제품 설계를 완료했으며, 4나노 공정은 올 상반기 공정 개발을 완료하고 하반기에 제품 설계도 마칠 계획"이라고 말했다. 이어 "시스템반도체 산업 생태계 강화를 위해 국내 중소 팹리스 반도체 업체들과의 상생 협력을 지속 추진하고 있다"고 강조했다.