사상 최대 영업익 SK하이닉스, 연구개발비도 1조 돌파… 전년비 32%↑

2일 SK하이닉스가 금융감독원에 제출한 감사보고서에 따르면 이 회사는 지난해 1조4200억원의 경상개발비를 투자한 것으로 나타났다. 이는 전년(2013년) 9700억원보다 32%나 증가한 수치다. 2012년에도 경상개발비는 9700억원이 지출됐다.

당해처리된 연구개발비만 1조원을 넘어서면서 SK하이닉스의 지난해 실제 연구개발비는 경상개발비 1조4200억원보다 다소 높을 것으로 전망된다. 통상적으로 회사 전체적인 연구개발에 투입되는 총 비용은 분기별 혹은 연간 사업보고서에 반영된다. SK하이닉스는 사업보고서상 이미 2013년 사상 처음으로 연구개발비가 1조1440억원을 기록, 1조원을 넘어섰다. 지난해 3분기 누계 기준으로만 연구개발비는 1조90억원을 기록했다.

SK하이닉스의 연구개발비가 늘어난 이유는 반도체 미세공정이 복잡해지면서 이와 관련된 연구투자가 증가했기 때문이다. SK하이닉스는 D램 20나노급 , 3D V낸드 등에 주력하며 공정난이도 높아지고 있다. 작년 4분기 D램은 20나노 중반급 공정기술 비중을 40% 후반까지 확대했고, PC와 서버용 제품의 비중을 높여 출하량 18% 증가를 기록했다. 낸드플래시 역시 10나노급 공정기술 비중 확대에 힘입어 30%의 출하량 증가를 보였다.

지난달에는 업계 최초로 8Gb LPDDR4 제품을 최신 출시된 스마트폰에 탑재했다. 이 제품은 초고속, 저전력 특성을 갖춘 현존 최고 성능의 고용량 모바일 메모리 솔루션으로, SK하이닉스가 지난해 말 세계 최초로 개발했다.

SK하이닉스 관계자는 “반도체는 R&D가 중요한 업종”이라며 “최근에는 D램이나 낸드플래시 공정이 미세화되고 있어 그런 측면에서 개발비용이 증가했다”고 말했다.

한편, SK하이닉스는 지난해 매출액 17조1260억원, 영업이익 5조1090억원을 기록했다. 이는 전년 대비 각각 21%, 51% 증가한 수치로, 2012년 SK하이닉스로 전열을 재정비한 이후 이뤄낸 사상 최대 실적이다. 당기순이익 역시 같은 기간 46% 급증한 4조1950억원을 나타냈다.