올해 공격적 투자 발표.. 해외 업체는 투자 제한적
전 세계 메모리 반도체 업체 1, 2위 삼성전자와 하이닉스가 당초보다 투자를 확대하며 해외 경쟁자와의 격차 벌이기에 나섰다.
최근 반도체 시황이 날로 좋아지고 있지만 해외 업체들의 투자 여력은 제한적인 상황에서 공격적인 투자를 통해 세계 시장 지배력을 높이겠다는 뜻으로 풀이된다.
하이닉스반도체는 31일 2010년 투자금액과 관련해 기존 2조3000억원에서 7500억원 늘어난 3조500억 원으로 확대한다고 밝혔다.
이 회사는 지난 2006년(4조2500억원)과 2007(4조8400억원)년에 4조원 이상을 투자했지만 글로벌 위기와 함께 2008년 2조4500억원, 2009년 1조원으로 투자가 급감했었다.
하지만 당초 예상보다 7500억원 늘어난 3조500억원의 투자 규모를 밝히며 공격적 행보를 다시 시작한 것. 이번 확대된 투자를 통해 경쟁사대비 40나노급 D램 공정전환을 가속화해 약 15% 수준인 40나노급 제품비중을 연말까지 약 50% 수준으로 확대한다.
40나노급 D램은 50나노급 대비 생산성을 50% 이상 높여 원가경쟁력을 강화하고, 이를 바탕으로 DDR3 등의 제품을 고객에게 적기에 공급해 수익성을 높인다는 계획이다.
하이닉스 관계자는 "미세공정전환 가속화 및 차세대 제품 개발역량 집중으로 경쟁사들과의 원가 및 기술 경쟁력 격차를 더욱 확대할 것"이라고 말했다.
이에 앞서 삼성전자는 당초 5조5000억원에서 9조원대로 반도체 투자를 확대했다.
차세대 메모리 제품 생산을 위한 신규라인(16라인) 건설과 30나노 D램 양산을 위한 15라인 CAPA 증설을 발표한 것. 삼성전자의 반도체 신규라인 건설은 2005년 15라인 이후 5년 만이다.
삼성전자 관계자는 "이번에 기공식을 가진 16라인은 완공까지 단계적으로 총 12조원 규모를 투자할 계획이며 명실상부하게 메모리분야 에서 선도적 리더십을 더욱 확고히 하게 될 것"이라고 밝혔다.
삼성전자와 하이닉스의 이같은 투자확대 행보는 전세계 반도체 시황이 좋아지고 있는 분위기가 한 몫 했다. 또 해외 경쟁사들의 투자가 제한적인 상황에서 격차를 더 벌릴 수 있다는 자신감도 한 요인이다.
올해 D램 메모리 반도체 시장은 전 세계적으로 403억 달러 규모를 형성하며 전년 대비 80% 이상 성장할 것으로 전망된다. 낸드플래시 시장도 213억 달러 규모로 전년 대비 44% 성장이 예상된다.
올해만 1000만대 판매가 예상되는 애플의 '아이패드'가 인기 행진을 벌이고 있고 아이폰4G, 갤럭시S 등 스마트폰 출시가 붐을 이루고 있는 상황도 D램과 낸드플래시 메모리 수요를 부채질 하고 있다.
IT 시장조사 분석 기관인 IDC에 따르면 스마트폰에 쓰일 D램만 올해 1억6000만 기가바이트(GB), 내년 3억4000만 GB에 이른다. GSM협회는 낸드플래시 수요도 스마트폰 확대에 힘입어 올해 51억 GB, 내년 117억 GB로 급증한다고 전망했다.
이가근 IBK투자증권 애널리스트는"1966년에 D램이 개발된 이래 45년 만에 최대 규모의 시장을 형성할 것"이라며 "국내 업체들의 수혜가 예상된다"고 분석했다.
공급과잉 우려에 대한 부분도 크지 않은 것으로 보인다.권오현 삼성전자 반도체사업부 사장은 최근 "공급과잉 우려가 시장에서 나오고 있지만, 올해 내에 공급과잉 현상이 일어날 가능성은 크지 않다"고 말했다.
