中 CXMT, 차세대 D램 구조 개발 성과 공개
AI 시대 메모리 경쟁, 성능 넘어 효율·용량으로 확대
AI 시대 메모리 반도체 경쟁이 새로운 국면을 맞고 있다. 과거에는 얼마나 빠르고 작은 반도체를 만드느냐가 경쟁력의 핵심이었다면, 이제는 메모리를 얼마나 효율적으로 활용하고 더 많은 데이터를 저장할 수 있느냐가 중요해지고 있다. 삼성전자는 글로벌 빅테크와 손잡고 메모리 활용 범위를 넓히는 데 집중하고, 중국은 차세대 D램 구조를 앞세워 기술 격차 좁히기에 나섰다.
13일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 12일(현지시간) 개막한 'OCP 글로벌 서밋 2026'에서 미국 반도체 기업 AMD와 차세대 메모리 확장 기술을 공동 시연한다.
핵심은 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL) 기술이다. 기존 서버는 장착할 수 있는 메모리 용량에 한계가 있다. CXL은 서버에 추가 메모리를 연결하거나 여러 시스템이 메모리 자원을 효율적으로 나눠 쓸 수 있도록 돕는 기술이다.
삼성전자는 이번 행사에서 CXL 기반 메모리 확장 솔루션과 메모리 풀링 기술을 공개한다. AI가 처리해야 할 데이터는 빠르게 늘어나지만, 서버마다 메모리를 무작정 늘리는 데는 비용과 공간의 제약이 따른다. 삼성전자는 메모리 자원을 유연하게 배분해 이런 문제를 해결하겠다는 구상이다.
특히 AMD와의 공동 시연은 메모리 기업의 역할이 단순한 반도체 공급에서 AI 시스템 설계와 최적화 영역으로 확대되고 있음을 보여준다. 삼성전자는 고대역폭메모리(HBM)와 저전력 메모리, AI 추론용 저장장치 등을 함께 선보이며 관련 기술의 활용 범위를 넓힐 계획이다.
반면 중국은 메모리 반도체 자체의 구조를 바꾸는 기술에 속도를 내고 있다.
홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 차세대 D램 셀 구조인 '4F²' 기술 개발에서 핵심적인 진전을 이뤘다고 밝혔다. 연말에는 서버용 DDR5 제품을 출시하겠다는 계획도 공개했다.
4F²는 쉽게 말해 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있도록 메모리 셀의 크기를 줄이는 기술이다. 현재 주로 사용하는 6F² 구조보다 공간 활용도를 높일 수 있다. 이를 구현하려면 반도체 내부의 트랜지스터 구조까지 바꿔야 해 기술적 난도가 높다.
CXMT의 발표가 주목받는 이유는 중국이 단순히 저렴한 범용 D램을 공급하는 데 그치지 않고 차세대 기술 경쟁에도 뛰어들고 있기 때문이다. 미국의 반도체 수출통제가 이어지는 상황에서도 자체 기술 확보에 속도를 내는 모습이다.
한 반도체 업계 관계자는 “삼성전자는 메모리를 어떻게 하면 더 효율적으로 쓸 수 있을지 고민하는 것이고, CXMT는 같은 공간에 데이터를 더 많이 담는 기술에 집중하는 것”이라며 “앞으로는 반도체 자체의 성능도 중요하지만, AI 시스템에서 메모리를 얼마나 효율적으로 활용할 수 있느냐가 경쟁력을 가르는 중요한 요소가 될 것”이라고 말했다.
