범용 D램 공급 제약에 ASP 12% 예상
가격 효과에 삼성·SK 3분기 실적 기대감
AI용 고대역폭메모리(HBM) 생산 확대가 범용 D램 공급을 더욱 조이고 있다. 3분기 HBM4(6세대 HBM) 양산이 본격화하면서 메모리 업체들이 한정된 D램 생산능력을 HBM에 우선 배정하고 있어서다. 범용 D램 공급 제약이 가격 상승으로 이어지면서 삼성전자와 SK하이닉스의 3분기 실적에도 긍정적으로 작용할 전망이다.
6일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 3분기에 접어들며 HBM4 생산을 본격적으로 확대했다. HBM과 범용 D램은 같은 D램 웨이퍼 생산능력을 공유한다. HBM 생산 비중이 높아질수록 범용 D램에 투입할 수 있는 생산능력은 줄어드는 구조다.
삼성전자는 2분기 실적발표에서 3세대 10나노급(1z) 공정 생산능력 확대와 수율 개선을 통해 HBM 공급능력을 지속적으로 높이고 있다고 밝혔다. 이에 따라 3분기 HBM4 매출은 전분기보다 3배 이상 증가할 것으로 예상했다.
HBM이 차지하는 생산능력은 앞으로 더 커질 전망이다. 최근 외신에 따르면 김태우 삼성전자 메모리사업부 부사장은 HBM 생산에 투입되는 웨이퍼가 현재 전체 D램 업계 생산능력의 약 20%를 차지하고 있으며, 내년에는 30%에 근접할 것으로 내다봤다.
SK하이닉스도 2분기 HBM4 양산 출하를 시작한 뒤 하반기 생산량을 확대 중이다. 구체적인 3분기 HBM 판매량과 매출 증가 폭은 3분기 실적발표에서 확인될 것으로 보인다.
HBM은 범용 D램보다 웨이퍼 생산능력도 많이 필요하다. 마이크론은 HBM이 같은 용량의 DDR5를 생산할 때보다 약 3배 많은 웨이퍼 생산능력을 필요로 한다고 설명했다.
결국 HBM 생산 확대는 HBM 시장에만 영향을 주는 것이 아니라 범용 D램 공급에도 영향을 미치는 셈이다. AI 서버용 HBM 수요가 빠르게 늘어나는 상황에서 메모리 업체들이 HBM에 생산능력을 우선 배정하면 범용 D램의 공급 증가 속도가 제한될 수밖에 없다.
김동원 KB증권 연구원은 “HBM 중심의 생산능력 전환이 가속화될수록 범용 D램의 공급 제약은 심화될 수밖에 없다”며 “2027년 범용 D램 공급 부족은 단기 현상을 넘어 구조적으로 장기화될 것”이라고 말했다. 이어 “HBM 중심의 D램 생산능력 재편은 범용 D램 공급 부족 장기화와 가격 상승을 동시에 촉발할 것”이라고 관측했다.
이 같은 공급 제약은 3분기 메모리 가격에도 반영된다. 시장에서는 3분기 D램 평균판매가격(ASP)이 2분기보다 두 자릿수 상승할 것으로 보고 있다. 다만 가격 상승 폭은 당초 예상보다 다소 낮아질 것으로 보인다. 이민희 BNK투자증권 연구원은 “3분기 D램 ASP 상승률 전망치를 기존 전분기 대비 16%에서 12%로 낮춘다”고 밝혔다. 상승 폭은 예상보다 낮지만 두 자릿수 가격 상승세는 이어지는 셈이다.
D램 가격 상승은 삼성전자와 SK하이닉스의 3분기 실적에도 영향을 미칠 전망이다. 특히 HBM 판매 확대에 따른 제품 믹스 개선과 함께 범용 D램 가격 상승 효과가 동시에 반영될 수 있다.
HBM 생산 확대가 범용 D램 공급을 제한하고, 제한된 공급이 다시 가격을 밀어 올리는 구조가 메모리 업체의 수익성을 높이는 요인으로 작용하는 것이다.
