인공지능(AI) 확산과 함께 D램 수요가 가파르게 늘어나면서 삼성전자와 SK하이닉스가 국내 생산능력 확대에 속도를 내고 있다. 용인 반도체 클러스터를 비롯한 대규모 신규 팹 구축이 본격화되는 가운데, 양사는 차세대 고대역폭메모리(HBM) 대응을 중심으로 설비 투자에 박차를 가하는 모습이다.
업계에 따르면 현재 SK하이닉스가 국내에서 운영 중인 D램 팹은 이천 M14, M16과 청주 M15(후공정) 등이다. 여기에 청주 M15X가 HBM 전용 라인으로 구축되고 있다. M15X는 1b 나노미터 공정 기반으로 조성 중이며, 지난해부터 장비 반입과 준공 준비가 진행돼 왔다. 올해 전체 생산능력은 월 8만~9만장 수준으로 추정된다.
중장기 확장의 핵심은 용인 반도체 클러스터다. 용인 팹 1기는 내년 중 준공을 목표로 하고 있으며, 월 16만~20만장 규모로 계획된 대형 생산기지다. 이후 용인 클러스터 2~4기 역시 순차적으로 추진될 예정으로, 향후 SK하이닉스의 국내 D램 생산 중심축이 이동할 가능성도 거론된다.
삼성전자 역시 평택 캠퍼스를 중심으로 D램 및 HBM 생산능력을 확장하고 있다. 평택 P1~P4는 현재 가동 중이며, HBM용 1c D램(10나노급 6세대) 공정 생산이 이뤄지고 있다.
특히 평택 P4는 HBM 대응의 핵심 라인으로 부상하고 있다. P4 페이즈3는 올해 중 램프업에 돌입하며, HBM 전용 라인으로 월 5000장 규모의 생산능력을 갖출 것으로 알려졌다. 이어 P4 페이즈4와 페이즈2는 내년부터 본격 램프업에 들어가 월 10만장 수준의 생산능력을 확보할 계획이다.
차세대 대형 투자로 꼽히는 평택 P5는 2028년 양산을 목표로 하고 있다. 생산능력은 월 30만장 규모로 알려졌으며, 완공 시 삼성전자의 국내 메모리 생산 체계는 한 단계 더 확장될 전망이다.
