
시상식은 이날 강원도 하이원그랜드호텔에서 한국반도체산업협회 · 한국반도체연구조합 · DB하이텍이 공동으로 주관, 개최하는 ‘제33회 한국반도체학술대회(KCS 2026)’ 개막식에서 진행된다.
강대원 상은 세계 최초로 MOSFET(모스펫)을 개발해 반도체 기술발전에 기여한 강대원 박사를 기리기 위해 제정되었으며, 2017년부터 강대원 박사를 이을 인재들을 발굴해 시상하고 있다.
박홍준 교수는 지난 30여 년간 아날로그 집적회로 분야, 특히 메모리 분야의 고속 칩 간 인터페이스 회로 (high-speed chip-to-chip interface circuits) 분야에서 연구를 선도해 온 세계적 석학이다. 박 교수의 연구는 고속 데이터 통신, 저전력 설계, 위상 동기화 회로 등 다양한 영역에서 근본적인 설계 원리를 제시하며, 이론적 완성도와 실용적 유용성을 동시에 갖춘 독창적인 성과로 평가받고 있다.
특히, 고속의 데이터 전송이 가능하도록 메모리 인터페이스 분야에서 신호 손실을 보상하는 등화 기술을 세계 최초로 제안해 후학들에게 이 분야에서 새로운 연구 방향을 제시했다. 또한, 그가 개발한 고속 인터페이스 회로 기술은 차세대 DRAM 및 SoC의 데이터 전송 속도 향상과 저전력화에 이바지했으며, 삼성전자와 SK하이닉스 등 세계적 기업들이 메모리 인터페이스 기술 경쟁력을 확보하는 데 중요한 기술적 토대를 제공했다.

김선정 상무는 반도체 트랜지스터 공정 및 물질과학 분야의 연구 역량을 기반으로 국제 학계에서 높은 성과를 거두어 왔다. 특히 High-k 유전막 기반 소자 공정 연구로 2005년 VLSI 심포지엄(VLSI Symposium)에서 Best Student Paper를 수상하며, 차세대 게이트 스택 기술의 가능성을 제시한 바 있다. 이후 IEEE Electron Devices Society Graduate Fellowship을 수상할 만큼 학문적 탁월성을 인정받았다.
2023년에는 선단 로직 소자의 핵심 기반이 되는 Epitaxy 기술 혁신으로 IR52 장영실상을 수상, 학술적 성과가 산업 기술로 확장‧전이될 수 있음을 입증했다. 또한 국내 첨단파운드리기술분야에서 2나노 GAA 공정 개발을 주도하며 차세대 선단공정의 기술적 완성도와 신뢰성을 높였다. 특히 GAA 구조 구현에 필요한 핵심 단· 공정 및 계측 기술을 정립하는 과정에서 국내외 장비·소재 기업과의 공동 개발을 적극 추진해 관련 기업들의 기술 수준을 선진화하고, 글로벌 경쟁력을 갖춘 공급망 구축에 기여했다.
한편, 한국반도체산업협회와 한국반도체연구조합, 서울대학교가 27~30일 4일간 강원도 하이원그랜드호텔에서 개최하는 33회 한국반도체학술대회에는 삼성전자·SK하이닉스·DB하이텍 등 반도체 기업을 포함해 국내 4500명 이상의 반도체 분야 산·학·연 전문가와 학생이 참석해 역대 최대 규모인 약 2000편 논문을 발표하는 등 연구 성과를 공유한다.









