삼성전자, 중국 시안에 7조8000억 규모 낸드플래시 증설 투자

입력 2017-08-28 16:47

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송영록 기자

삼성전자는 중장기 낸드플래시 수요 증가에 대응하기 위해 중국 시안에 위치한 SCS(Samsung China Semiconductor)법인의 낸드플래시 메모리 증설 투자를 추진 중이라고 28일 밝혔다.

향후 약 3년간 총 투자 예상금액은 70억 달러(약 7조8000억 원)다. 이날 경영위원회에서 이중 자본금 23억 달러(2조5000억 원)에 대한 출자를 승인했다.

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