아이피에스는 20일 박막증착방법 및 이를 이용한 반도체 제조방법과 관련해 특허를 취득했다고 밝혔다.
아이피에스 관계자는 "본 발명은 탄소계 반사 방지막을 사용하는 반도체 소자의 제조공정에 관한 것으로, 탄소계 반사방지막의 표면 또는 중간층에 질소, 불소, 실리콘 등의 화합물을 첨가함으로써, 낮은 흡광 계수값을 유지하면서 내에칭설을 강하시켜 선택비를 높이는 탄소계 반사방지막을 형성할 수 있다"고 설명했다.
아이피에스는 20일 박막증착방법 및 이를 이용한 반도체 제조방법과 관련해 특허를 취득했다고 밝혔다.
아이피에스 관계자는 "본 발명은 탄소계 반사 방지막을 사용하는 반도체 소자의 제조공정에 관한 것으로, 탄소계 반사방지막의 표면 또는 중간층에 질소, 불소, 실리콘 등의 화합물을 첨가함으로써, 낮은 흡광 계수값을 유지하면서 내에칭설을 강하시켜 선택비를 높이는 탄소계 반사방지막을 형성할 수 있다"고 설명했다.