한·중·미 글로벌 생산거점 구축
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삼성전자는 9일 중국 산시성 시안시에서 메모리 반도체 공장의 준공식을 갖고 본격적인 제품 생산에 돌입했다고 밝혔다.
이번에 건립된 삼성전자 중국 메모리 반도체 공장은 2012년 9월 기공식을 갖고 약 20개월 간의 공사기간을 통해 총 34.5만평의 부지에 연면적 7만평 규모로 세워졌다. 이곳에서는 한국에서 이미 성능과 양산성을 확인한 10나노급 낸드플래시(V-NAND) 메모리를 두 번째로 생산하게 된다.
삼성전자는 시안 메모리 반도체 공장의 가동으로 한국, 중국, 미국을 연결하는 ‘글로벌 반도체 생산 3거점 체제’를 구축하겠다는 전략이다.
글로벌 반도체 생산 3거점 체제란 시스템반도체를 중심으로 하는 미국, 메모리 반도체를 중심으로 하는 중국, 그리고 모든 반도체 제품을 생산, 조정하는 한국의 최적의 포트폴리오라는 게 삼성전자 측의 설명이다.
산시성 성장 러우친젠은 축사를 통해 “삼성 프로젝트가 성공적으로 마무리 됐다”며 “산시성은 앞으로도 삼성과 그 협력사들의 발전을 지원하며 협력관계를 강화할 것”이라고 밝혔다.
시안 공장의 완공으로, 삼성전자는 10나노급 낸드플래시의 듀얼 생산체계를 통해 생산 규모를 확대하고 보다 안정적으로 제품을 공급할 수 있게 됐다. 특히 글로벌 IT기업들의 생산 거점이자 세계 낸드플래시 수요의 50%를 차지하는 중국에서 낸드플래시를 직접 생산하는 만큼, 적기 공급을 통한 효율적인 대응이 가능해졌다.
삼성전자와 시안에 동반 진출한 국내 협력사들도 글로벌 운영체제를 갖추며 미래 성장동력을 마련했다. 현지 진출한 국내 협력사들은 60여개사로 향후 100개사까지 확대될 전망이다.
이날 권오현 삼성전자 부회장은 기념사를 통해 “과거 시안에서 출발한 실크로드가 동서양 문명 교류의 핵심 역할을 했던 것처럼 한국과 중국의 협력으로 탄생한 시안 공장이 ‘21세기 디지털실크로드’의 출발점이 되기를 희망한다”고 말했다.
삼성전자는 2014년 말 후공정(반도체 테스트 및 패키징)라인까지 완공해 완벽한 일관 생산체제를 완성할 계획이다.