산업부와 LOI 체결… 내년 개소해 40명 연구인력 입주
바스프가 수원 성균관대학교 자연과학캠퍼스에 새로운 아시아·태평양지역 전자소재 연구개발(R&D)센터를 설립한다.
바스프는 7일(현지시간) 벨기에 브뤼셀에서 열린 ‘2013 유럽 투자유치식’에서 산업통상자원부와 아태지역 전자소재 R&D센터 설립에 관한 협력 의향서(LOI)를 체결했다고 밝혔다.
성균관대와 파트너십을 맺고 설립하는 전자소재 R&D센터는 바스프의 아태지역 전자소재 연구의 통합 허브 역할을 담당하게 된다. 내년 개소가 목표다.
바스프그룹 전자소재 사업부문 로타 라우피클러(Dr. Lothar Laupichler) 수석 부사장은 “성대에 설립될 이번 아태지역 전자소재 R&D센터를 통해 바스프가 가지고 있는 전자소재 분야의 전문성과 우수 연구 인력들의 최신 연구를 접목할 수 있게 됐다”고 밝혔다.
성균관대 김준영 총장도 “성균관대는 바스프의 연구개발과 관련해 가장 적합한 글로벌 파트너라고 생각한다”며 “이번 협력을 통해 아태지역 전자소재 연구의 통합 허브기관으로서 역할을 기대한다”고 말했다.
이번에 설립되는 아태지역 전자소재 R&D센터는 스페셜티 및 공정 화학제품, 무기소재뿐만 아니라 반도체, 디스플레이, 유기 전자소재, LED, 태양광용 고성능 어플리케이션을 위한 연구에 주력하게 된다.
아태지역 전자소재 R&D센터는 수원 성균관대 자연과학캠퍼스에 위치하며 내년부터 약 40명의 기술 및 연구 인력들이 입주해 관련 연구를 시작할 예정이다.