삼성전자, ‘30나노급 32GB D램 모듈’ 양산

▲삼성전자가 세계 최고 성능·최대 용량의 서버용 D램 모듈 양산에 들어간다. 삼성전자는 30나노급 4Gb(기가비트) 더블 데이터 레이트3(DDR3·Double Data Rate 3) D램 기반의 32GB(기가바이트) DDR3 서버용 모듈을 이 달부터 공급하기 시작한다.(삼성전자)

삼성전자는 31일 30나노급 4Gb(기가비트) 더블 데이터 레이트 3(DDR3·Double Data Rate 3) D램 기반의 32GB(기가바이트) DDR3 서버용 모듈을 이 달부터 공급하기 시작했다고 밝혔다.

1나노(nm)는 10억 분의 1미터(m)로 나노공정은 반도체의 회로 폭을 100나노(nm) 이하로 생산하는 반도체 공정을 말한다.

삼성전자가 양산에 들어간 30나노급 32GB DDR3 서버용 모듈은 데이터처리 속도가 1866Mbps(Mega-bit per Second)로 기존 40나노급 32GB DDR3 모듈의 1333Mbps와 비교해 데이터 처리 속도가 40% 빠르다.

30나노 공정은 40나노 공정에 비해 더 미세한 수준이며 나노공정이 미세해질수록 칩의 크기가 줄어 든다.

삼성전자 관계자는 “이 모듈이 30나노급 공정으로 소비전력을 기존 대비 18% 절감해 지금까지의 서버용 모듈 제품 중 용량·속도·소비전력 측면에서 최고 사양의 제품”이라며 “지난 해 40나노급 4Gb D램 양산에 이어 올해 30나노급 4Gb D램을 양산하는 등 4Gb D램 모듈 전 라인업을 양산함으로써 프리미엄 D램 시장에서 최고 수준의 제품 경쟁력을 확보했다”고 설명했다.

삼성전자는 30나노급 4Gb D램을 바탕으로 4Gb 이상의 대용량 제품 비중을 본격적으로 늘려, 2012년에는 전체 D램의 10% 이상으로 대폭 확대시켜 나갈 예정이다.

홍완훈 삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 부사장은 "최근 급성장하는 친환경 IT 시장을 더욱 확대하기 위해 하반기에는 소비전력을 대폭 낮춘 '20나노급 4Gb D램'을 출시할 예정이다"며 "앞으로도 최고 성능의 '그린메모리 제품 및 솔루션'을 적기에 공급해 메모리 시장을 지속 성장시켜 나가겠다"고 말했다.