권오철 하이닉스반도체 사장은 30일 경기 이천공장에서 열린 주주총회에서 “현재 30나노급 D램 양산에 돌입했다”며 “하반기 20나노급 개발을 완료할 예정이다”고 밝혔다.
이어 권 사장은 “낸드플래시 분야도 작년 26나노 개발을 완료했다”며 “금년 하반기 20나노 낸드플래시를 개발하겠다”고 말했다.
권오철 하이닉스반도체 사장은 30일 경기 이천공장에서 열린 주주총회에서 “현재 30나노급 D램 양산에 돌입했다”며 “하반기 20나노급 개발을 완료할 예정이다”고 밝혔다.
이어 권 사장은 “낸드플래시 분야도 작년 26나노 개발을 완료했다”며 “금년 하반기 20나노 낸드플래시를 개발하겠다”고 말했다.