하이닉스, TSV 기술로 세계 최대용량 16기가 D램 개발

입력 2011-03-09 12:03수정 2011-03-09 13:01

40나노급 2기가비트 DDR3 D램 8단 적층...최대 64기가바이트 가능

▲TSV 기술을 활용해 40나노급 2기가비트 D램을 8단 적층한 모습(하이닉스)

하이닉스반도체는 9일 TSV(Through Silicon Via, 관통 전극) 기술을 활용해 40나노급 2기가비트 DDR3 D램의 8단 적층에 성공했다고 밝혔다. 단일 패키지에서 고용량 16기가비트를 구현하게 된 것은 이번이 처음이다.

현재의 와이어 본딩(Wire bonding) 기술로 16기가비트 D램의 단일 패키지 제작이 불가능하다. 20나노 초반급 공정기술을 적용한 4기가비트 D램이 개발되면 구현이 가능하다.

이번에 개발된 제품은 TSV 기술로 이러한 한계를 극복하고 2기가비트 D램을 8단으로 수직 적층했다.

이 제품을 모듈로 제작하면 최대 64기가바이트의 고용량을 구현할 수 있어 서버 및 워크스테이션 등 대용량 메모리 수요에 적합하다게 회사 측의 설명이다.

TSV 기술은 기존 와이어 본딩 방식에 비해 2배 이상 적층을 할 수 있다. 동작속도는 50%가량 향상된다. 소비전력도 40% 줄어드는 특징이 있다.

홍성주 하이닉스반도체 연구소장(전무)는 “TSV 기술을 이용한 고용량 메모리 제조 기술은 앞으로 2~3년 내에 메모리 산업의 핵심기술이 될 것”이라며“이번 제품 개발은 고용량과 융복합화로 변화하는 메모리 솔루션의 기반을 구축했다는 점에 그 의의가 있다”고 말했다.