삼성전자, 8배 빠른 'WIDE IO 모바일 D램' 개발

입력 2011-02-21 11:00

고종민 기자 kjm@etoday.co.kr

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20나노급 4Gb WIDE IO 모바일 D램으로 2013년부터 본격 양산

▲'WIDE IO 모바일 D램'(삼성전자)

기존보다 8배 빨라진 모바일 D램이 나왔다.

삼성전자는 21일 기존 모바일 D램(MDDR)의 데이터 전송속도 1.6GB/s(Giga Byte per Second)보다 8배 빠른 12.8GB/s의 데이터 속도를 내는 50나노급(나노:10억분의 1) 공정을 적용한 1Gb(기가비트, Giga bit) 'WIDE IO 모바일 D램'을 개발했다고 밝혔다. 이는 1초에 DVD급 영화 2편, 음악파일 3200곡을 전송할 수 있는 속도다.

'WIDE IO 모바일 D램'은 데이터 입출력 핀 수를 기존 모바일 D램의 32개 보다 16배 많은 512개로 늘여, 초당 데이터 전송속도를 획기적으로 증가시켰다. 소비전력도 87%를 절감할 수 있다.

삼성전자는 'WIDE IO 모바일 D램' 기술을 기반으로 주요 고객과 개발 단계부터 협력을 강화해 2013년부터는 20나노급 미세공정을 적용한 4Gb 제품을 본격 공급할 계획이다.

소병세 삼성전자 반도체사업부 전략마케팅팀 전무는 "초고속 'WIDE IO 모바일 D램'을 사용해 고객들이 더욱 성능을 높인 그린 모바일 기기를 개발할 수 있도록 할 것"이라며 "앞으로 대용량 고성능의 모바일향 그린 메모리 제품을 지속 개발해 모바일 시장의 성장을 견인해 나갈 것"이라고 밝혔다.