삼성전자, 그린메모리 주도할 D램 모듈 개발

삼성전자가 세계 최초로 3D-TSV(Through Silicon Via)를 적용한 8기가바이트(GB) DDR3 DRAM을 개발했다.

3D-TSV 기술은 실리콘 웨이퍼를 수십 마이크로미터 두께로 얇게 만든 칩에 직접 구멍을 뚫고, 동일한 칩을 수직으로 적층해 관통 전극으로 연결한 최첨단 패키징 기법이다.

삼성전자는 이번 기술 개발을 통해 기존 제품에 비해 2~4배 큰 대용량을 구현할 수 있고 서버에 탑재하는 메모리 용량을 늘려 서버 시스템의 성능을 최소 50% 이상 향상시킬 수 있을 것으로 내다보고 있다.

삼성전자는 40나노급 2기가비트(Gb) DDR3 D램을 3D-TSV 기술로 적층한 칩을 탑재해 8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module) 제품으로 개발했다. 지난 10월 고객사 서버에 장착해 제품 성능 테스트를 완료했다.

이 패키징 방법은 쌓아 올린 칩을 와이어로 연결하는 기존 와이어 본딩(Wire bonding) 방식에 비해 빠르게 동작하는 것은 물론 칩의 두께를 줄이고 소비전력도 40% 이상 줄일 수 있다.

삼성전자는 내년 이후 4Gb 이상 대용량 DDR3 D램에도 3D-TSV 기술을 적용해, 32GB 이상 대용량 서버용 메모리 제품을 확대해 나갈 예정이다.

또한, 서버 업체는 물론 CPU, 컨트롤러 업체들과의 협력을 강화해 3D-TSV 서버 모듈 제품의 시장 기반을 더욱 넓혀 나갈 계획이다.

삼성전자 반도체사업부 메모리 상품기획팀 김창현 전무는 "앞으로도 3D-TSV 기술 기반의 대용량 메모리 솔루션을 지속적으로 출시해 고성능 서버 시장의 성장을 견인하는 그린 메모리 시장을 주도해 나갈 것"이라고 밝혔다.

한편 시장조사기관에 따르면 서버 시장에서 클라우딩 컴퓨터의 비중이 지속 증대되고, 서버당 탑재되는 소프트웨어의 수도 늘고 있어 향후 3년간 고성능 서버에 탑재되는 메모리 용량이 두 배 이상 증가될 것으로 전망하고 있다.