삼성전자, 세계 첫 30나노급 2Gb DDR3 D램 개발

입력 2010-02-01 11:00

하반기 부터 본격 양산 예정 ... "원가 경쟁력 2배 이상 확보 가능"

삼성전자가 지난 1월 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램(사진)을 개발했다고 1일 밝혔다. 삼성전자는 이번에 개발한 30나노급 D램을 올해 하반기 부터 본격적으로 양산에 들어갈 예정이다.

삼성전자는 지난해 12월 30나노급 2Gb DDR3 D램 단품과 노트북용 2GB 모듈 제품 샘플을 고객들에게 보내 지난 1월 중순 평가 완료했다고 밝혔다.

삼성전자측은 30나노급 D램은 지난해 7월 양산에 들어간 40나노급 D램에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있고, 50~60나노급 D램에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다고 설명했다.

또 30나노급 D램은 50나노급 D램과 비교해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있으며, 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다고 부연했다.

삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 "삼성전자가 지난해 40나노 2Gb DDR3 제품을 개발한 데 이어, 이번에 30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상 더 벌려 놓았다"고 밝혔다.