하이닉스, 40나노급 2Gb 모바일 D램 첫 개발

입력 2010-01-13 09:00

김지성 기자 lazyhand@e-today.co.kr

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1.2V 저전압 동작...저전력소비 특징

하이닉스반도체는 세계 최초로 40나노급 기술을 적용해 모바일 D램 제품인 2기가비트(Gb) LPDDR2(Low Power DDR2)를 개발했다고 13일 밝혔다.

이 제품은 세계 최초로 40나노급 초미세 공정이 적용된 2기가비트 고용량이다. 회사측은 모바일 제품 중 최저전압인 1.2V로 동작이 가능하고, 전력 소비가 기존 모바일 제품인 LPDDR의 50% 수준, PC DDR2 제품의 30% 수준에 불과하다고 밝혔다.

또 최대 1,066Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 32개의 정보입출구(I/O)를 통해 싱글 채널(Single Channel)의 경우 초당 최대 4.26기가바이트(GB), 듀얼 채널(Dual Channel)의 경우 8.52기가바이트의 데이터를 처리할 수 있다. 이 속도는 보통 영화 5~6편을 1초에 다운받을 수 있는 수준이다.

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