추격자 없는 한국 반도체 내년 초호황기 '예고'

내년 반도체업계가 초호황기를 누릴 것이란 예상이 잇달아 나오면서 삼성전자와 하이닉스반도체의 행보에 관심이 쏠리고 있다.

▲삼성전자와 하이닉스가 40나노급 D램을 메인으로 양산하면서 경쟁사들의 추격의지를 꺾고 있다. 사진은 삼성전자 반도체라인 모습.

이 같은 전망 속에 메모리 반도체 1,2위 기업인 삼성전자와 하이닉스는 내년에 40나노급 D램을 메인 제품으로 양산하면서 경쟁사들의 추격 의지를 꺾겠다는 전략이다.

삼성전자 관계자는“내년 시장은 올해 보다 나을 것으로 보고 있다”면서“지난 7월부터 양산에 들어간 46나노급 DDR3의 비중을 내년에는 더 높일 것”이라고 말했다.

하이닉스반도체도 최근 40나노급 2기가비트 DDR3 D램의 인텔 인증 획득을 계기로 DDR3 제품의 비중을 확대할 계획이다. 하이닉스 관계자는“내년 연말까지 전체 D램 생산량의 70%까지 DDR3 비중을 확대하는 한편, DDR3 제품중 2기가비트 제품을 약 40% 가량 생산할 계획”이라고 밝혔다.

삼성전자와 하이닉스가 40나노대 미세공정을 메인공정으로 가져가면서 내년에는 엘피다와 대만업체 등 후발주자들과의 기술 격차,즉 원가 차이가 더 크게 벌어질 공산이 크다.

KTB투자증권 최성제 연구원은“후발업체들의 50나노급 공정전환 지연으로 DDR3의 생산부족이 지속되고 있다”면서 “내년 반도체 업황은 초호황기를 누릴 것을 예상되고 그 수혜는 국내 업체들이 차지하게 될 것”이라고 전망했다.

3년여 동안 적자를 벗어나지 못하고 있는 대만업체들은 물론이고 엘피다 역시 내년 상반기에도 40나노급 미세공정 전황이 어려울 것이라는 전망이 더해지면서 삼성전자와 하이닉스의 독주가 예상되고 있는 것이다.

삼성경제연구소 정동영 수석연구원은“엘피다가 내년 상반기 50나노급을 건너뛰고 40나노급 공정에 들어간다고 하지만, 경험해 보지 못한 DDR3를 40나노급 공정으로 만들어 내는 것이 기술적으로는 가능할 수 있어도 양산효율을 끌어내기는 쉽지 않을 것”이라고 봤다.

정 수석연구원은“상위급 미세공정으로 전환할 때 40% 내외의 효율 상승이 일어난다”면서 “국내 반도체 업체들이 내년에 시장점유율을 높일 수 있다는 것에 의미가 있는데, 시장 성장이 정체돼 있는 상황에서 과점적 점유율을 확보해야 리더십을 유지할 수 있다”고 말했다.

이에 따라 삼성전자와 하이닉스,두 국내 업체의 내년 메모리 시장 점유율이 63%에 이를 것이란 전망도 나온다.

최성제 연구원은“삼성전자의 경우 D램에서 대만을 포함한 후발업체들의 어려움과 DDR3의 시장 확대를 통해 올해에만 시장 점유율을 무려 35%로 확대했다”면서“내년에 37%까지 확대가 가능할 것으로 보이고, 하이닉스 역시 올해 시장점유율 24%에서 내년 26%까지 상승해 국내 메이저 두 개의 메모리업체가 전세계 D램의 약 63%를 차지할 것”이라고 예상했다.