삼성전자, 세계 최초 0.6㎜ 8단 적층칩 개발

삼성전자가 세계 최초로 0.6mm 두께의 8단 적층칩 기술을 개발했다고 4일 밝혔다.

삼성전자는 이 기술을 32GB(기가바이트) 낸드플래시 적층칩에 적용했다. 이 적층칩은 750㎛ 두께인 12인치 웨이퍼 뒷면을 15㎛ 두께로 갈아 내고, 위로 쌓아 올려 고용량의 패키지로 구현한 것이다.

기존 낸드플래시 적층 패키지는 칩의 웨이퍼를 60㎛ 두께로 가공해 쌓아 올려 1mm를 구현한 것이다.

지금까지 칩의 웨이퍼 두께를 30㎛ 이하로 가공하면 칩의 강도를 유지하기 어렵고, 칩의 적층 간격이 너무 좁아 안정적인 수율을 확보하기 어려운 한계를 극복한 것이다.

이번에 개발한 기술을 적용해 1mm 두께의 낸드플래시 적층칩을 구현하면 두 배 이상의 대용량 제품을 제조할 수 있게 된다.

삼성전자는 이번 기술 개발로 현재 50% 이상의 세계점유율을 확보하고 있는 모바일 메모리 복합칩 제품 경쟁력을 더욱 강화해 나갈 수 있게 됐다.

삼성전자 Test & Package센터 정태경 상무는 "0.6㎜ 8단 적층칩은 현재 대용량 적층칩 시장의 주력 제품 대비 두께는 물론 무게까지 절반 정도로 줄여 대용량 메모리 탑재가 필수적인 모바일 기기 시장에 가장 적합한 솔루션이다"라며 "삼성전자가 업계의 한계로 여겨져 온 1.0㎜ 이하의 적층칩 솔루션을 제공하게 돼 모바일 기기 제조 업체들은 소비자를 만족시킬 수 있는 다양한 제품 디자인을 할 수 있게 될 것"이라고 밝혔다.

한편, 반도체 시장 조사기관 아이서플라이에 따르면 세계 메모리 카드 시장은 2GB 용량 이상의 제품 수량이 2009년 3.1억 개에서 2012년 7.7억 개 규모로 크게 성장할 것으로 예상된다. 그 중 16GB 이상 용량의 제품은 2009년 1900만 개에서 2012년 2.1억 개로 확대될 것으로 전망된다.