하이닉스, 세계 최초 4Gb 모바일D램 인텔 인증 획득

입력 2009-08-09 11:16

하이닉스반도체는 세계 최초로 54나노 2기가비트(Gb) 기반으로 개발된 4기가비트 모바일 D램이 인텔 모바일 인터넷 디바이스(MID; Mobile Internet Device)용 칩셋인 무어스타운(Moorestown)에 대한 인증을 획득했다고 9일 밝혔다.

하이닉스의 모바일 제품이 인텔의 인증을 획득한 것은 이번이 처음이다. 4기가비트 모바일 D램은 모바일 제품 중 최대 용량으로, 기존의 2기가비트 제품의 패키지 크기를 유지하면서 용량은 두 배로 늘린 것이 특징이다.

전력 소비도 기존 2기가비트 제품과 비교해 큰 차이가 없어 사용시간이 긴 모바일 인터넷 디바이스, 넷북, 휴대전화, 네비게이션 등의 모바일 애플리케이션 제품에 적합하다.

이 제품은 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현하며, 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 1.6기가바이트(GB) 가량의 데이터를 처리할 수 있다. 이 제품은 올해 3분기부터 양산될 예정이다.