와이즈파워, 고효율LED 생산 ‘물꼬 텄다’

와이즈파워가 계열사인 그랜드텍을 통해 LED 핵심재료인 고효율 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 개발에 성공했다고 31일 밝혔다.

그랜드텍은 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 및 제조 설비 중 수소기상증착기인 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 시스템을 개발하고 있는데, 이 기술을 이용해 2인치(25mm) 풀 사이즈의 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 개발을 완료했다는 것이다.

회사 관계자는 “삼성LED, 서울반도체, LG이노텍 등 국내 LED업체들이 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 개발을 서두르고 있는 상황에서 와이즈파워가 상용 제품개발에 성공했다는 것에 의미가 있다”고 밝혔다.

질화갈륨(GaN) 웨이퍼는 전량 수입에 의존하고 있는 레이저 다이오드(Laser Diode)의 핵심 기초소자이다. 또 차세대 고효율 LED제조의 핵심 소자로서 지금까지 미국의 LED업체인 크리사와 미국 TDI 등 극히 일부 회사만이 제조 가능한 제품으로 알려졌다.

회사측은 이번에 개발된 질화갈륨(GaN) 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼에 근접하는 107~8/cm2 수준의 고품질이라고 설명했다.

회사 관계자는 “현재 국내에서 개발돼 사용되고 있는 LED소자는 세계 최고 수준에 비해 80% 정도에 머물고 있다”면서 “고압 전류를 흐르게 하면 열이 많이 발생하는 등의 문제가 있는데 현재 일반적으로 사용되고 있는 웨이퍼의 한계 때문”이라고 설명했다.

이에 따라 “질화갈륨(GaN) 웨이퍼와 같은 후막 웨이퍼를 사용해서 칩공정을 실시하게 되면 고휘도 및 고출력 LED 소자를 만들 수 있다”고 덧붙였다.