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메모리반도체 1위를 수성 중인 삼성전자가 초격차 기술력과 그 성과를 인정받았다.
삼성전자는 7일 메모리사업부의 ‘D1a 기술’이 서울 코엑스에서 열린 산업통상자원부 주관 ‘2022 대한민국 산업기술 R&D 대전’에서 대통령상을 받았다고 밝혔다. 이 상은 반도체ㆍ기계ㆍ바이오 등 대한민국 산업을 견인해온 혁신 기술을 선정에 수여한다.
D1a 기술은 세계 최초 최선단 14나노 기반의 고용량ㆍ초고속 D램이다. 멀티 EUV(극자외선) 기반 패터닝 기술과 새로운 셀 트랜지스터 및 캐패시터 소자를 적용했다.
특히 단일 패키지 내 최대 용량은 64GB, 모바일용 최고 속도는 8.5Gbps나 구현할 수 있어, 고용량ㆍ초고속이 요구되는 4차 산업혁명에서 중추적 역할을 수행할 것으로 전망된다.
삼성전자는 메모리사업부 대통령상 수상에 대해 “한계를 잊고 초격차 기술에 매달린 메모리사업부 D램 개발실 임직원들의 뛰어난 역량과 헌신적인 노력이 있었기에 가능했다”고 말했다.
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메모리사업부는 D1a 양산을 위해 삼성전자 반도체 평택사업장에 차세대 프리미엄 10나노 4세대 D램 양산 라인을 새로 건축해 수천 명의 일자리를 창출했다. 또 소재와 부품, 장비 등 국내업체 성장을 견인해 국가 경제 발전에도 기여했다는 평가다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 “대한민국 기술을 대표하는 영광스러운 수상을 하게 돼 감사할 따름”이라며 “개발 과정에서 많은 어려움과 한계가 있었지만 참여한 모든 엔지니어가 함께해 극복할 수 있었다. 앞으로도 세계 1등 D램 전통을 이어갈 기술을 개발해 나가겠다”고 소감을 밝혔다.
이날 홍영기 글로벌제조&인프라총괄 파운드리 YE(수율개선)팀장 부사장도 동탑산업훈장을 수상했다. 업계 최초로 1억 화소 이미지 센서 양산화에 성공하고 5나노 시스템 반도체 양산에 성공한 공로를 인정받았다.
한편 이달 9일까지 대한민국 산업기술 R&D 대전에 마련된 삼성전자 전시공간에서는 △D1a(칩ㆍ패키지ㆍ웨이퍼ㆍ모듈) △V8(칩ㆍ패키지ㆍ웨이퍼) △컴퓨태이셔널 메모리(HBM-PIMㆍSmart SSD) 등의 메모리 제품을 볼 수 있다.