DB하이텍, 차세대 ‘슈퍼정션 모스펫’ 사업 가속…“전기차 시장 진출”

▲DB하이텍 부천캠퍼스. (사진제공=DB하이텍)

DB하이텍이 차세대 ‘슈퍼정션 모스펫’(SJ MOSFET) 사업 경쟁력 강화에 나선다.

DB하이텍은 3세대 모스펫 제품 양산물량을 늘리고, 이미 양산 중인 650V 공정에 더해 600V, 700V 공정을 추가로 개발하는 등 제품 라인업을 확대한다고 18일 밝혔다.

‘모스펫’은 소비가전 및 각종 IT(정보통신) 기기의 전원공급장치에 적용돼 스위칭 및 신호 증폭 기능을 담당하는 핵심부품이다. 고전압ㆍ고효율을 특징으로 하는 전자장치의 보급 확산에 힘입어 그 수요가 빠르게 증가하고 있다.

DB하이텍의 3세대 SJ MOSFET 공정은 2세대보다 저항값을 50%~60% 낮춰 성능을 개선하고 칩 크기를 줄였다. 여기에 △전자방해잡음(Low EMI) △고속 스위칭 △고속 회복 다이오드(FRD) △높은 정전기 방전(ESD) 등을 옵션으로 제공한다.

또 25~600mOhm(밀리옴) 사이의 온저항을 지원하고 TO-220, TO-220F, TO-247, D2PAK, DPAK 등의 표준 패키지를 사용해 전기차 충전, 무정전 전원공급장치(UPS), 서버뿐 아니라 가전, PC 전원, 조명, 어댑터 등 다양한 응용분야에 적용될 수 있다.

DB하이텍은 연내에 차량용 고온 신뢰성 평가 조건인 드레인 전압 100%(100%Vdd) 하에서의 HTRB 품질 테스트를 완료할 예정이다. 이를 바탕으로 자동차 및 산업 등 고부가 시장으로 영역을 확대해 나갈 방침이다.

DB하이텍은 다양한 전압군의(500Vㆍ600Vㆍ650Vㆍ700Vㆍ800V) 2세대 SJ MOSFET 제품을 중국, 대만, 일본 등의 글로벌 제조사에 공급하고 있다.

DB하이텍 관계자는 “향후 4세대 SJ MOSFET 제품 개발에 기술 역량을 집중해 시장 점유율을 더욱 높여갈 예정”이라며 “장기적으로는 GaN(질화칼륨), SiC(실리콘카바이드) 등과 같은 차세대 전력반도체 솔루션을 갖춰 전기차 등의 신규 고성장 시장으로의 진출을 꾀할 것”이라고 밝혔다.