[사설] 삼성 3나노 반도체 첫 양산, 초격차 전략 속도내야

삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노(1㎚는 10억분의 1ｍ) 파운드리 제품 출하식을 가졌다. 삼성은 앞서 지난달 말 세계 처음으로 GAA 기술을 적용한 3나노 공정 양산 돌입을 발표하고 이날 첫 제품을 내놓은 것이다.

GAA 3나노 공정은 가장 앞선 반도체 제조기술이다. 세계 최대 파운드리 업체인 대만 TSMC를 제치고 삼성이 먼저 선보이면서 초(超)격차 기술력을 다시 입증했다. GAA 기술은 기존 핀펫(FinFET) 기술이 초미세 공정에서 갖는 한계를 극복한 혁신적 대안이다. 이번 삼성의 3나노 GAA 1세대 공정은 5나노 핀펫 공정보다 전력 45%를 절감하고 칩 면적을 16% 줄이면서 성능은 23% 높인다. 앞으로의 GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감, 면적 35% 축소, 성능 30% 향상 등 더 개선된다. TSMC의 경우 3나노 양산이 지연되고 있고, GAA 기술은 2025년 양산 예정인 2나노 공정부터 적용할 것으로 알려졌다.

이같은 성과로 삼성은 TSMC 추격의 발판을 마련한 것으로 평가된다. 삼성이 메모리 D램 분야에서는 세계 시장에서 압도적인 점유율 1위이지만, 비메모리의 파운드리는 TSMC가 53.6%나 차지하고 삼성은 아직 16.3%의 점유율로 한참 뒤처진다. 삼성이 안정적인 수율(收率)을 확보해 앞으로 수요가 급증할 것으로 전망되는 3나노 시장을 선점하는 것이 최우선 과제다. 기술적 우위에도 불구하고 갈 길은 여전히 멀다.

반도체가 한국 수출에서 가장 큰 비중을 차지하고, 또 국가안보 차원에서도 핵심적인 전략산업으로 얼마나 중요한 지에 대해서는 강조할 필요도 없다. 현대 산업에서 반도체가 들어가지 않는 곳은 거의 없다. 수급에 문제가 생기면 경제 전반에 치명적인 타격을 줄 수 있다. 미국이나 유럽, 중국 등이 국가전략으로 반도체 산업 육성에 달려들어 치열한 경쟁을 벌이고 있는 이유다. 미국과 중국 간 패권 다툼의 핵심도 반도체다. 미국은 한국과 대만, 일본을 묶는 ‘칩4 동맹’으로 중국의 도전을 봉쇄하려는 구도를 밀어붙이고 있다.

결국 반도체의 초격차 경쟁력이 우리 경제안보의 사활적 자산인 것이다. 정부도 이런 인식을 바탕으로 최근 반도체 초강대국을 향한 육성 비전을 내놓았다. 5년간 340조 원 규모의 기업투자를 끌어낼 수 있는 인프라 및 세제 지원, 규제의 개선, 15만 명 이상의 인재 양성, 시스템 반도체 선도기술 확보, 견고한 소재·부품·장비 생태계 구축 등에 적극 나선다는 계획이다. 다양한 지원 방안들이 망라됐고, 범(汎)정부 차원의 종합 전략이라는 점에서 기대가 크다. 업계와의 긴밀한 소통으로 실효적 대책들이 과감하고 속도감있게 실행돼야 빠른 성과를 거둘 수 있다. 정부와 기업이 힘을 합쳐 반도체에 매달려도 초격차 유지를 위한 시간이 많지 않다.