[제45회 국가생산성대회] 남석우 삼성전자 부사장, 은탑산업훈장

남 부사장은 33년간 반도체 공정기술의 전문가로서 핵심 공정(세계최초 D램 유전막 개발 등) 및 차세대 제품(세계 최초 20나노 D램 개발 등) 개발을 주도해 반도체 매출 극대화에 기여하고, 핵심 신설비 및 신공정 양산 기술력을 선제 확보하는 중추적인 역할로 대한민국 반도체 산업의 글로벌 경쟁력 강화와 생산성 향상에 기여한 공로를 인정받았다.

남 부사장은 D램 고유전막 형성 기술, V낸드 에칭 기술, 비메모리와 D램 극자외선 노광 기술 등 반도체 원천기술 선행 개발을 주도해 기술 경쟁력 확보에 앞장섰다.

특히, V낸드 에칭 기술을 활용해 업계 최초로 셀의 3차원 수직 적층(3D 낸드) 구조를 제품화했다. 이를 바탕으로 메모리 업계 유일하게 6세대 V낸드 양산과 생산성 20% 향상의 성과를 창출하며 경쟁력을 유지했다.

원천 기술 기반 세계 최초 20나노 D램 기술 개발로 차세대 10나노급 D램의 기반 마련, 세계 최초 3D V낸드 양산화에 성공, 극자외선(EUV) 노광 기술 구현으로 업계 최초 양산 등 초미세화 기술 리더십을 지속해서 유지하며 미래 반도체 산업 발전에서도 앞장서고 있다.

글로벌 반도체 공급난을 돌파하기 위해 국내 화성과 평택, 중국 시안을 통합하는 시스템 기반 반도체 생산 체제를 구축했다. 제품의 양품률 증가 활동으로 높은 생산성을 구현하는 동시에 저전력 친환경 반도체 생산, 공정 가스ㆍ전력 사용량 절감 등 메모리 제조 과정에서 발생하는 온실가스 배출량 절감에도 동참하고 있다.