중국 반도체 전방위 추격…D램 신제품 올해 양산 계획

입력 2020-05-05 10:28

대만 디지타임즈 보도…128단 낸드 개발도 최근 성공한 것으로 알려져

▲CXMT 공장 전경 (출처=CXMT 홈페이지)

중국 반도체 기업들이 잇따라 기술 개발에 성공하며 삼성전자, SK하이닉스를 바짝 추격하고 있다.

5일 대만 디지털 전문 매체 디지타임즈에 따르면 중국 창신메모리(CXMT)는 연내 17나노(㎚) D램을 양산할 계획이다.

창신메모리는 작년 9월 D램 양산을 처음 공식화한 메모리 반도체 기업으로 첫 제품은 19나노 수준으로 알려진 바 있다.

창신메모리가 실제 올해 연발 17나노 D램 양산에 돌입할 경우 삼성전자와의 기술 수준은 3년으로 좁혀진다.

삼성전자는 2017년 11월 2세대 1y(10나노 중반) D램을 양산했다. 작년 초 1y D램을 양산한 SK하이닉스와는 2년 차이다.

중국 반도체 기업들의 성과는 여기서 끝이 아니다.

중국 양쯔메모리(YMTC)도 지난달 10일 자사 홈페이지를 통해 128단 낸드를 개발하는 데 성공했다고 밝혔다. 이르면 올 연말 양산에 돌입할 것으로 전망된다.

삼성전자는 작년 7월 100단 이상의 낸드 양산을 시작했고, SK하이닉스는 올 2분기 내 128단 낸드 양산을 목표로 하고 있다.

중국 반도체 기업들이 성과를 발표했지만, 우리나라와의 격차를 단기간에 좁히기에는 어렵다고 업계는 분석하고 있다.

업계 관계자는 "메모리 반도체 공정 기술은 개발 성공 여부보다 수율이 중요하다"며 "중국 업체는 아직 만드는 족족 적자인 것으로 안다"고 말했다.