GaN LED칩 제조 전문회사인 에피밸리는 LED 칩제조 핵심기술인 Epiwafer 성장에 대한 미국 특허등록을 마치는 등 Major 시장 진입을 위한 본격적인 행보를 가속화하기 위해 기존 방어적인 특허전략에서 한 단계 더 나아가 원천특허기술을 기반으로 한 공격적인 특허 전략으로 방향을 선회하고 있어 귀추가 주목되고 있다.
에피밸리의 이러한 자신감 있는 행보는 창업 이후 전략적으로 추진해 왔던 특허 구성이 마무리 되었고, 2.0cd급 Side view를 양산할 수 있는 제품력 확보 및 합병 이후 추진해 온 1단계 Capacity 증설 프로젝트가 완료되는 등의 성과를 기반으로 하고 있어 단기간에 가시적인 성과로 이어질 수 있을 것으로 나다보고 있다.
특히 회사는 지난 2년간 국내외 전문가와 함께 4천건 이상의 일본 내 주요 LED 특허에 대한 분석과 검토를 마쳤으며, 이를 통해 Major 시장에 진출할 수 있도록 지금까지 알려진 특허들로부터 자유로운 신제품 개발까지도 마친 상태이며, 나아가 공세적 특허정책의 일환으로 약 50여건의 특허를 7월 중 세계 주요국가에 동시에 출원하는 계획을 추진하고 있다.
에피밸리의 주요 특허로는 여러가지가 있으나 이번에 미국특허등록을 마친 SiC/InGaN 버퍼 외에도, 주목할 만한 것으로는 도핑 되지 않은 두꺼운 질화물을 이용하여 n형 질화물의 Si-도핑을 제어하는 특허 기술은 그 동안 개선하기가 거의 불가능한 것으로 여겨졌던 Toyoda Gosei사의 n형 질화물의 Si-도핑을 제어하는 특허기술을 획기적으로 향상시킨 것으로 업계의 비상한 관심을 받고 있다고 덧붙였다.
에피밸리가 밝힌 이러한 공세적인 특허 전략은 최근 LED 시장의 중심이 휴대폰을 중심으로 한 소형 모바일 제품에서 노트PC용 BLU, TV용 BLU 같은 고급 제품으로 옮겨가면서 특허 보유 여부가 중요해진 시점과 맞물려 에피밸리가 상당한 경쟁력을 가지고 매력적으로 시장에서 주목 받을 수 있을 것으로 기대된다.
