국일제지 자회사인 국일그래핀이 지난해 ‘무전사식그래핀층의 형성 방법’의 특허에 이어 ‘대면적그래핀 박막 in-situ 제조방법’으로특허를 취득했다고 14일 밝혔다.
특허기술은 기판 상에 결정성이 우수한 고품질의 그래핀층을 저온에서 대면적으로 용이하게 형성할 수 있는 대면적 그래핀 박막의 in-situ 제조방법, 이를 이용한 소자의 제조방법에 관한 것이다.
베이스 기판의 투명도와 전기적 특성을 변화시키지 않고 기판 상에 무결점 단일 결정의 그래핀 박막을 대면적으로 직접 성장시킬 수 있어 양질의 그래핀 전자 소자를 제조하는 데에 이용될 수 있다.
회사 관계자는 “국일그래핀은 이미 비전사 저온 4인치 웨이퍼그래핀 박막 제조를 성공했고 현재 8인치 웨이퍼그래핀 박막 제조를 위한 설비를 제작 중에 있다”며 “충남대와 함께 산학협업으로 8인치 웨이퍼그래핀 박막 제조기술을완성시킬 예정”dl라고 말했다.